消息称三星电子 1c 纳米 DRAM 内存良率明显提升,设计改进起到关键作用
6 月 24 日消息,据韩国媒体 sedaily 当地时间本月 19 日的报道以及另一家韩媒 mk 今日的报道,三星电子第六代 10 纳米级(注:即 1c nm)dram 内存制造工艺,在设计优化等因素推动下,良率实现了显著提升。
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SEDaily 报道指出,三星去年在 1c nm 内存上的良率尚不足 30%,而今年五月份进行的性能测试中,良率已上升至 50%~70%;MK 则提到了近期良率已超过 60% 的数据。

两家媒体均表示,此次良率大幅提升主要得益于重大的设计调整,尽管这种改动可能会导致量产时间有所推迟,但在技术上取得了明显的进步。
由于在 HBM 市场上的失利,三星电子在今年第一季度将 DRAM 内存营收冠军的位置让给了 SK 海力士。考虑到三星即将推出的 HBM4 内存正是基于 1c nm 工艺,该技术良率的改善有望为三星的重新崛起提供有力支撑。
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