台积电1.4nm工艺2028年量产,功耗降低30%
8月28日消息,在先进工艺上台积电一骑绝尘,今年将会量产2nm工艺N2,接下来是1 6nm的A16工艺,再往后就是1 4nm的A14了。现在1 4工艺的工厂也在启动中了,因为工厂建设需要两年时间,中
8月28日最新消息显示,台积电在先进制程领域继续保持绝对领先优势。继今年即将量产的2nm N2工艺后,该公司还将陆续推出1.6nm A16工艺和1.4nm A14工艺。
目前1.4nm工艺产线筹建工作已经启动。由于晶圆厂建设周期需两年左右,根据中科管理局最新公告,台积电中科二厂园区的水土工程预计9月底完工,10月将正式开工建设。
除台积电自有厂房外,园区内还将预留5公顷工业用地,计划引入半导体设备供应商及IC设计公司等产业链合作伙伴。
今年4月公布的建厂规划显示,中科二厂项目代号Fab 25,总规划建设4座晶圆厂。首座产线计划于2027年投入风险试产,2028年下半年实现大规模量产,初期月产能可达5万片晶圆。
该生产基地将专注于1.4nm工艺生产。据台积电官网技术参数显示,相较于当前最先进的N2制程,A14工艺可在相同功耗下实现15%的性能提升;或在相同性能下降低30%功耗,同时逻辑密度提高20%以上。

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