三星9100 PRO 8TB固态硬盘评测：大容量旗舰的极致性能表现

8TB，对于消费级机械硬盘来说就已经是非常可观的容量了，当它与超高性能的PCIe5.0会碰撞出什么样的火花？这就是如约而至的三星品牌存储旗舰级中的旗舰——9100 PRO 8TB固态硬盘。

三星凭借深厚的技术储备和后发优势，3月份发布全新的旗舰产品9100 PRO再次奠定PCIe5.0固态硬盘的全新标杆，同时还官宣“海纳百川”的8TB超大容量，不仅扩充了9100 PRO系列的产品线，也标志着三星在大容量、高性能PCIe固态硬盘的道路上再迈关键一步。在8月份的Chinajoy2025展会上这款产品全球首展并让现场的观众率先体验，以强大的产品力再次成为行业关注的焦点。

8TB对于普通消费者来说还是个比较超前的容量，但它对诸多行业的意义远超想象，不仅能让高级玩家存储约80个3A大作（按照Steam年最佳榜单前11款游戏平均90.6GB容量），更能让影视、3D图形等专业创作行业存储更多的工作流文件。而AI时代对于存储的需求更是日益剧增，例如图像/视频生成AI会产生大量的素材文件，本地部署的高精度大模型数量呈指数增长。除此之外，以Copilot+ PC为代表的AI PC的Recall功能，为用户提时间流式的使用回顾，而存储这些精细化的快照需要4TB/8TB以上的存储。因此，8TB超大容量可以说是一个全新的起点。

我们先浏览下三星9100 PRO 8TB的特点：

1、8TB超大容量，配备8GB LPDDR4X DRAM独立缓存

2、顺序读写性能高达14800MB/s和13400MB/s，与4TB版本一致

3、随机读写性能高达2200K IOPS和2600K IOPS，与4TB版本一致

4、三星TurboWrite2.0技术带来更高的SLC缓存空间

5、总写入量高达4800TBW

6、散热片版采用更高效的散热片，兼顾与各类设备的兼容性，并针对索尼PlayStation5主机优化

1外观一览

三星9100 PRO 8TB固态硬盘标准版和散热片版同步发售，外观与之前评测过的4TB基本相同。

标准版正面标签的风格与4TB版一致，产品型号、S/N码、容量等信息一应俱全。值得一提的是，由于增加了NANDFLASH芯片的数量，工作电流由4TB的2.9A提升至3.5A，长时间满负荷运行建议搭配主板自带的M.2散热马甲，或者选择更高效散热片版。

揭开正面的标签，可看到PCB正面采用1颗PCIe5.0主控芯片+1颗LPDDR4X DRAM独立缓存芯片+2颗NAND FLASH芯片的布局，PCB的空位近乎布满了贴片电容电阻，为整体稳定运行提供保障。

自研主控芯片代号Presto，采用5nm工艺制程和低功耗架构打造，表面采用镀镍涂层，结合内置的动态散热保护机制（DTG）和铜箔辅助散热标签/包裹式散热器，有效保障长时间稳定数据传输。与之搭配的LPDDR4X DRAM独立缓存芯片容量也提升至8GB，进一步提升I/O效能，达到每1GB对应1TB。

核心元件是NAND FLASH是三星第八代V-NAND TLC原厂芯片，与背面的两颗一起构成了8TB容量。

和1~4TB版本不同的是，三星9100 PRO 8TB采用双面芯片设计，PCB背面也有两颗NAND FLASH闪存芯片，铜箔导热标签贴在对应主控芯片和DRAM独立缓存位置。

散热片版的外观与4TB基本相同，包裹式散热片采用黑色磨砂喷涂工艺处理，边缘有CNC精细处理的亮线，四道凹槽设计大幅增加了散热面积，上面有三星品牌LOGO和Solid State Drive字样，视觉效果非常大气，整体感极强。

由于PCB采用双面芯片设计，散热片高度由1~4TB的8.8mm增加到11.25mm，但这个高度均衡了设备兼容性和散热能力，不会与显卡和CPU散热器发生干涉，但部分高端主板可能需要拆掉M2固态硬盘位的底部导热板才能安装。除此之外还针对索尼PlayStation5游戏主机的硬盘舱深度进行优化，不会顶起盖板。

标签贴纸散热片背面，与标准版内容基本一致。

2产品信息

Crystal Disk info显示，三星9100 PRO 8TB可用容量为8001.5GB，传输模式为PCIe5.0x4，26℃室温下闲时温度53℃，支持NVMe2.0标准，以及S.M.A.R.T、TRIM和VolatileWriteCache功能。其中VolatileWriteCache是NVMe协议中的一个特性，能减少延迟并提高写入速度，本次测试我们使用的是散热片版。

三星魔术师（Magician）功能丰富，支持三星品牌旗下所有的存储产品。例如它可以显示三星9100 PRO 8TB的序列号、固件版本信息，还能查看你的三星品牌存储是否为正品。除此之外还能进行固件升级、安全擦除等操作，强烈推荐大家安装。

三星魔术师还能对存储状态进行监控，例如可以看到三星9100 PRO 8TB总写入数据量，以及某个时间段的温度曲线，让大家做到心中有数，堪称是贴心管家。除此之外还具备性能测试功能，即使新手用户也能轻松了解自己固态硬盘的性能。

另外，测试之前需要将性能模式调整为Full Performance Mode，以便发挥最佳效能。如果平时使用可以设置为Standard Mode，如果用于游戏笔记本则可根据需求设置为Power Saving Mode。

3基准测试

本次测试，我们选择AMD锐龙9和Intel第14代酷睿i9这两套高端平台，下面是详细的配置。

作为一款容量升级产品，三星9100 PRO 8TB标称性能与4TB版一致，即14800MB/s和13400MB/s顺序读写性能，以及2200K IOPS和2600K IOPS随机性能。经CrystalDisk Mark实测，顺序读写速度达到14827.77MB/s和13389.99MB/s，与标称基本一致。

用于对比的TxBench测试结果显示，三星9100PRO8TB顺序读写速度达到14062.64MB/s和13628MB/s，基本达到“满血PCIe5.0”水准。随机性能方面参考Crystal Disk Mark，达到2150K IOPS和1996K IOPS，一方面是由于测试软件的队列数和线程设置的差异，另一方面是PCIe5.0对于CPU的体质和主板的电气性能有较高要求。

固态硬盘容量的翻倍不仅能存储更多的文件，三星专有TurboWrite2.0技术让三星9100 PRO 8TB的SLC缓存空间理论上也实现了翻倍，大幅提升写入效能。在专业软件IOmeter中设置128KB数据块和QD32队列，经过40分钟的测试，一开始连续写入速度稳定在13100--13400MBps区间，53秒后SLC缓存用尽，闪存直接写速度在1500--1900MB/s，测算空盘时SLC缓存高达2TB，这意味着在影视、AI应用等数据密集型行业使用三星9100 PRO 8TB会更加高效。

待主控Trim1小时后，我们测试了下三星9100 PRO 8TB随机写入性能，IOmeter设置4KB数据块和QD32队列，测试时间45分钟。从测试图形可以看出，三星9100PRO的实力非常强悍，密集区间处于2450000~247000IOps，不仅全程测试没有明显的波动，而且分散度非常低，可见随机写入性能依然是这款产品的强项。

虽然NAND FLASH芯片数量增加了一倍，但三星9100 PRO 8TB的功耗增加并不大，在smartmontools中可以看到有5种预设模式，全速运行PS0--PS2模式最高功耗为9.3W，但浅度睡眠PS3模式可低至0.05W，深度睡眠PS4模式更是低至0.007W，可见这款产品在性能和能耗均衡方面非常理想，用于游戏笔记本也不用担心电池巡航的问题。

为了测试发热控制情况，我们再次执行了20分钟的IOmeter的128KB顺序写入测试，让三星9100 PRO散热片版8TB进入满载状态。从温度曲线看最高温度为83℃，虽然比4TB高一点，但尚未触发动态散热保护机制（DTG），因此重负荷使用场景建议使用散热片版。

4应用模拟测试

基准测试再次展示三星9100 PRO 8TB的性能的强大，接下来我们看看应用模拟测试的表现。PCMARK10完整系统盘测试，将固态硬盘模拟成系统盘，测试操作系统启动、办公和设计等场景下的表现，三星9100 PRO 8TB整体得分6308分，带宽为986.79MB/s，平均存取时间为26μs。

3DMARK存储基准测试通过对三款游戏的载入、保存、安装与录制来评估固态硬盘的游戏性能。最终三星9100 PRO 8TB的存储基准测试得分为5748分，平均带宽为976.82MB/s，平均存取时间为31μs。其中《战地风云5》带宽为1631.13MB/s，平均存取时间为46μs。由于PCMARK10和3DMARK在不同的硬件平台跑分存在不小的差异，故这两项成绩仅供参考。

最后是《最终幻想：曦光旅路》（FINAL FANTASY XIV:Dawntrail）的Benchmark，它不仅能衡量不同显卡的性能，还能直观展示存储设备的加载情况。

最终三星9100 PRO 8TB得分19282，全部的转场载入时间仅为6.246秒，极大降低了游戏加载的时间和场景转换的延迟。

5写在最后

现在消费级固态硬盘已正式进入PCIe5.0时代，“满血”性能已经不是唯一的主题，数据密集型行业对于容量也提出更高的要求。

作为消费级存储行业的领军品牌，三星PCIe5.0的固态硬盘的动向深受业界和消费者的同时关注，如约而至的9100 PRO 8TB，以5nm高性能主控芯片和第八代V-NAND TLC存储芯片，带来“海纳百川的”容量和更高效的I/O表现，无论是追求速度的硬核玩家、需要高速渲染的内容创作者，还是要求严苛的专业人士都能从中受益，更是AI时代理想存储解决方案。

同时它还拥有高达4800TBW全盘写入寿命、150万小时平均故障间隔时间(MTBF)和5年质保，再次成为旗舰级PCIe5.0固态硬盘的全新样板。