MIT团队发现X射线应变调控技术，或革新半导体芯片制造工艺
麻省理工学院的研究人员近期在实验中发现了一种可能适用于微电子领域的新技术。这项研究原本旨在观察核反应堆内部材料在极端条件下的性能变化，却意外为半导体制造提供了新的思路。
研究团队使用高强度 X 射线束，成功实现了在高温和强烈辐射环境下对材料腐蚀、开裂等失效过程的三维实时观测。同时，他们还发现，X 射线能够精确控制材料内部的应变状态，通过调整照射时间和聚焦点，可实现材料内部应变的释放或增强。
在实验中，研究人员采用“固态去湿”工艺制备出镍单晶薄膜，并将其置于模拟核反应堆极端环境的条件下。他们发现，材料与基底之间加入一层二氧化硅缓冲层，并延长 X 射线照射时间，有助于提高样品的稳定性。这一发现不仅有助于核反应堆材料的优化设计，也为半导体芯片制造提供了新的应变调控手段。
应变工程是提升半导体器件性能的重要方法。传统方式通常依赖机械拉伸或额外材料层来引入应变，而新方法则能够在制造过程中直接通过 X 射线进行精确调控，有望同步改善芯片的电学与光学性能。
项目负责人表示，这是首次在类似核反应堆的极端环境中，实现对材料失效过程的三维动态观测。利用相位复原算法，研究人员在实验中重建了样品的三维结构，为极端环境下材料设计提供了关键依据。
这一技术不仅有可能推动核能材料和舰船推进系统材料的发展，也为高性能芯片制造带来新的可能性。接下来，研究团队计划将该方法应用于更复杂的合金体系，并进一步探索缓冲层厚度对调控效果的影响。相关研究成果已于 8 月下旬发表在Scripta Materialia期刊上。
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