无锡启动国内首个EUV光刻胶核心技术平台
近日,无锡宣布启动国内首个全面掌握EUV光刻胶核心技术的研发平台,标志着我国在高端半导体材料领域取得重要突破。EUV光刻机是制造5nm及以下先进工艺不可或缺的设备,而与之配套的EUV光刻胶同样至关重
近日,无锡宣布启动国内首个全面掌握EUV光刻胶核心技术的研发平台,标志着我国在高端半导体材料领域取得重要突破。EUV光刻机是制造5nm及以下先进工艺不可或缺的设备,而与之配套的EUV光刻胶同样至关重要,是推动芯片制造技术进步的关键材料。
在9月4日召开的2025集成电路(无锡)创新发展大会上,多个重点产业项目陆续发布,其中两项与光刻胶相关的中试平台尤其引人关注。
首先,无锡先进制程半导体纳米级光刻胶中试线正式投入建设,这是国内首个实现MOR型光刻胶核心原料、配方及应用技术自主可控的创新平台。该平台所研发的光刻胶将达到国际先进水平,为国产高端芯片制造提供有力支撑。
另一项目为江苏(集萃)光刻胶树脂合成中试线,该平台是国内唯一采用连续流技术合成光刻胶树脂的研发机构,突破性地实现了高分子材料的稳定聚合工艺,为光刻胶关键原料的国产化提供了坚实基础。
MOR型光刻胶作为面向EUV光刻时代的重要技术,采用金属氧化物作为主要成分,替代了传统DUV光刻中使用的CAR型化学增幅光阻剂。这一改变有助于提高光刻分辨率、减小线路间距并降低缺陷率,是实现先进制程的重要保障。
不仅逻辑芯片的5nm以下工艺需要应用EUV光刻胶,未来DRAM内存也将逐步引入EUV技术,对相应材料提出更高要求。虽然目前NAND闪存尚未全面采用EUV工艺,但随着存储密度的不断提升,未来也必然依赖EUV技术来实现更高集成度。
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