台积电将代工美光HBM4E存储芯片，2027年投产
9月24日美光公布的2025财年财报会议透露重要信息：当前HBM4内存的核心逻辑芯片由美光自主CMOS工艺制造，而下一代HBM4E产品将全面转由台积电代工。
根据公司规划，HBM4E内存预计2027年投入量产。美光将为市场提供双轨制解决方案，既生产标准版产品，也开发定制化版本芯片，以满足细分市场需求，后者预计能大幅提升产品利润率。
值得注意的是，部分客户对HBM4性能提出超越行业标准的要求，目标传输速率超过10Gbps/引脚。为此美光已推出11Gbps规格样片，目前正处于客户送样测试阶段。
在市场布局方面，美光表示2026年HBM3E产能已基本完成客户协议签订，同时HBM4产品的供货谈判也在积极推进中，首批产品将于2026年第二季度交付使用。
在传统存储产品线上，美光近期取得多项突破性进展：通过1-beta工艺LPDDR5x内存的OEM认证；1-gamma工艺服务器DRAM实现量产销售；日本广岛工厂引入EUV设备开展1-gamma DRAM生产；G9系列NAND固态硬盘完成主流市场客户认证。
市场分析预测，2026年DRAM行业将继续面临供货紧张态势，而NAND市场供需关系有望持续好转，整体行业景气度将保持上升趋势。
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