长江存储加速DRAM/HBM研发，推动国产芯片替代进程

中国半导体产业迎来新突破

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据悉，国内领先的NAND闪存制造商长江存储正积极布局DRAM市场新赛道，同步推进HBM等高附加值存储芯片的研发工作。作为人工智能芯片的关键元器件，HBM技术长期被海外少数巨头垄断。值得注意的是，本土龙头企业长鑫存储也在加紧HBM技术的攻关，中国高端存储芯片自主化进程迈入快车道。

业内知情人士透露，为攻克HBM产品的技术壁垒，长江存储已重点投入硅穿孔（TSV）工艺研发，这是实现DRAM芯片三维堆叠的尖端技术。同时，公司多座在建晶圆厂的规划或将作出战略性调整，以适配未来DRAM产品的量产需求。

这一战略性布局引发全球半导体行业的广泛关注。受此消息影响，9月25日美股交易时段，美国存储巨头美光科技股价应声下挫3.02%，最终报收156.83美元，凸显市场对其未来市场份额的担忧。

行业分析师指出，长江存储2024年被美国列入"实体清单"，在先进制程装备与技术引进上面临诸多限制，这为其DRAM技术研发与量产带来了不确定因素。

权威调研机构Counterpoint Research最新报告显示，2025年第二季度全球HBM市场竞争格局迎来洗牌。SK海力士以62%的市场占有率稳居龙头，美光则以21%的份额实现反超，首次将三星（17%）挤至行业第三的位置。