俄罗斯EUV光刻机2036年前投产,公布三步走发展路线
9月28日最新报道显示,俄罗斯计算机与数据科学专家Dmitrii Kuznetsov博士近日公布了俄国产光刻机的技术发展蓝图。
根据这份规划,俄方计划在2036年之前突破10nm以下制程技术壁垒,研发出具备EUV(极紫外光刻)能力的先进光刻设备。
该路线图主要划分为三个关键发展阶段:
第一阶段(2026-2028年):聚焦40nm工艺节点光刻机研发,采用双反射镜物镜系统设计,实现10nm级套刻精度,支持3×3毫米的最大曝光区域,每小时晶圆处理能力不低于5片。
第二阶段(2029-2032年):将分辨率提升至65-28nm(潜在可达14nm),光学系统升级为四反射镜配置,套刻精度提高到5nm,曝光区域扩展为26×0.5毫米,每小时晶圆产能突破50片。
第三阶段(2033-2036年):瞄准28-13nm(潜在9nm)高端工艺节点,采用六反射镜系统架构,套刻精度达2nm级别,支持26×2毫米的大尺寸曝光区域,每小时晶圆生产速度超过100片。
值得注意的是,俄罗斯选择的EUV技术路线与ASML截然不同,创新性地采用了基于氙等离子体的光源系统、混合固态激光激发技术,并研发了特殊材质的反射镜(由钌/铍组成,波长11.2nm)。
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