俄罗斯EUV光刻机2036年前投产，公布三步走发展路线
9月28日最新报道显示，俄罗斯计算机与数据科学专家Dmitrii Kuznetsov博士近日公布了俄国产光刻机的技术发展蓝图。
根据这份规划，俄方计划在2036年之前突破10nm以下制程技术壁垒，研发出具备EUV（极紫外光刻）能力的先进光刻设备。
该路线图主要划分为三个关键发展阶段：
第一阶段（2026-2028年）：聚焦40nm工艺节点光刻机研发，采用双反射镜物镜系统设计，实现10nm级套刻精度，支持3×3毫米的最大曝光区域，每小时晶圆处理能力不低于5片。
第二阶段（2029-2032年）：将分辨率提升至65-28nm（潜在可达14nm），光学系统升级为四反射镜配置，套刻精度提高到5nm，曝光区域扩展为26×0.5毫米，每小时晶圆产能突破50片。
第三阶段（2033-2036年）：瞄准28-13nm（潜在9nm）高端工艺节点，采用六反射镜系统架构，套刻精度达2nm级别，支持26×2毫米的大尺寸曝光区域，每小时晶圆生产速度超过100片。
值得注意的是，俄罗斯选择的EUV技术路线与ASML截然不同，创新性地采用了基于氙等离子体的光源系统、混合固态激光激发技术，并研发了特殊材质的反射镜（由钌/铍组成，波长11.2nm）。
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