三星HBM4将于2025年SEDEX首发,SK海力士同步参展
10月21日行业消息指出,据《The Elec》今日报道,三星电子将于10月22日在首尔COEX开幕的半导体博览会(SEDEX)2025上公开展示其HBM4内存产品,亮相时间比业内预期更早。与此同时,SK海力士也已确认将参展。
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有知情人士透露:“两家公司正在为HBM4展示筹备专用展区”,并补充说明“VIP参观环节结束后,普通观众也将有机会亲眼目睹HBM4实体芯片”。
针对相关报道,三星电子与SK海力士相关负责人都作出回应:“在半导体展会上展出HBM4确有其事。”

此前行业普遍预测三星将在27日至31日于龙仁举办的2025三星技术展上首次在韩国展示HBM4,而本次公开亮相时间较预期提前约一周。
HBM4采用多层DRAM芯片垂直堆叠并应用硅通孔(TSV)技术的3D封装结构,相较于传统DDR技术具备更高的数据带宽和更低的功耗表现。
相关爆料显示,三星电子通过在HBM4上采用1c纳米制程工艺,再次尝试差异化竞争路径。1c属于10纳米级DRAM工艺,较上一代1b DRAM技术拥有更窄的电路线宽,在性能表现与能效方面都更具优势,此举与采用相对稳定的1b DRAM工艺的SK海力士形成鲜明技术对比。
TrendForce预测数据显示,到2025年,SK海力士将占据HBM市场59%的份额,而三星和美光则将分别占据约20%的市场份额。后续发展值得持续关注。
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