台积电专利加速布局：全球先进制程技术竞争领先策略
2025年10月22日发布的最新行业分析指出，在全球先进制程技术角逐中，台积电正通过强化专利布局进一步巩固其领先地位。数据显示，2016年至2024年间，该公司在光刻技术领域的专利申请量激增近一倍，与三星、英特尔等主要竞争对手的技术差距持续扩大。
这份由专利分析平台Patentfield提供的数据，覆盖了在日本、美国、欧洲及中国提交的专利申请，研究聚焦于国际专利分类号"H01L21"——该类别涵盖半导体光刻设备，同时统计了包含"光刻"和"EUV"关键词的专利文献。
分析显示，台积电在"H01L21"分类下的专利申请量自2010年代中期持续攀升，2024年达到1548件，较2016年的723件增长约2.1倍。与此同时，以"光刻"为关键词的专利申请量也呈现显著上升趋势，2024年提交932件，是2016年350件的2.7倍。
除台积电外，报告特别提及一家在半导体研发领域保持活跃的机构——IBM。虽然该公司已于2014年退出半导体制造业务，但其位于纽约奥尔巴尼的研究中心仍在持续推进包括光刻在内的先进制程技术研发。特别是在2纳米及更先进技术节点的开发中，IBM已与日本半导体企业Rapidus建立合作关系，展现出即使不参与量产，具备核心技术研发能力的机构仍能在产业中发挥关键影响力。
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