联华电子55纳米BCD工艺解析:电源管理与汽车电子创新关键

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2025年10月22日,台湾晶圆代工厂联华电子正式发布55纳米BCD(双极-互补金属氧化物半导体-双扩散金属氧化物半导体)工艺平台。这项技术能够在单一芯片上实现模拟、数字和功率元件的集成,主要面向电源管理及混合信号集成电路领域,有助于显著提升移动设备、消费电子产品以及汽车工业应用的能源效率,同时实现更小的芯片面积和更强的抗干扰性能。
此次推出的55纳米BCD平台涵盖非外延/磊晶(Non-EPI)、外延/磊晶(EPI)以及绝缘层上硅(SOI)三种制程工艺,并集成了超厚金属层(UTM)、嵌入式闪存(eFLASH)与阻变存储器(RRAM)等多项先进功能模块,为客户提供高度整合的系统解决方案。
联华电子技术研发副总经理徐世杰表示,55纳米BCD平台的发布标志着公司在BCD技术发展路径上的重要突破,不仅进一步丰富了特殊制程产品线,也增强了在电源管理市场的竞争力。尽管55纳米BCD制程在业界已实现多年量产,联电此次推出的全新方案在器件性能方面表现优异,能够支持客户开展创新的电源管理设计,广泛应用于智能手机、穿戴设备、汽车电子、智能家居及智能制造等多元场景。
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