联华电子55纳米BCD工艺解析：电源管理与汽车电子创新关键
2025年10月22日，台湾晶圆代工厂联华电子正式发布55纳米BCD（双极-互补金属氧化物半导体-双扩散金属氧化物半导体）工艺平台。这项技术能够在单一芯片上实现模拟、数字和功率元件的集成，主要面向电源管理及混合信号集成电路领域，有助于显著提升移动设备、消费电子产品以及汽车工业应用的能源效率，同时实现更小的芯片面积和更强的抗干扰性能。
此次推出的55纳米BCD平台涵盖非外延/磊晶（Non-EPI）、外延/磊晶（EPI）以及绝缘层上硅（SOI）三种制程工艺，并集成了超厚金属层（UTM）、嵌入式闪存（eFLASH）与阻变存储器（RRAM）等多项先进功能模块，为客户提供高度整合的系统解决方案。
联华电子技术研发副总经理徐世杰表示，55纳米BCD平台的发布标志着公司在BCD技术发展路径上的重要突破，不仅进一步丰富了特殊制程产品线，也增强了在电源管理市场的竞争力。尽管55纳米BCD制程在业界已实现多年量产，联电此次推出的全新方案在器件性能方面表现优异，能够支持客户开展创新的电源管理设计，广泛应用于智能手机、穿戴设备、汽车电子、智能家居及智能制造等多元场景。
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