AI推动HBM产能扩张加剧全球DRAM供应紧张
10月23日，全球DRAM内存市场正经历由人工智能基础设施建设拉动的需求快速增长，高带宽内存（HBM）领域的需求增长尤为显著。与此同时，通用型DRAM产品的需求也在持续升温。由于HBM产能占比不断扩大，挤占了原本用于生产通用DRAM的晶圆投片资源，导致整体供应链日趋紧张，消费级内存价格也因此受到明显冲击。
据韩国朝鲜日报最新报道，随着通用DRAM供应短缺可能长期持续的风险加剧，中国、美国等地的部分下游企业已开始与占据全球DRAM市场七成以上的三星电子和SK海力士展开合作，签订为期两到三年的中长期供应合同。相较于以往按季度或年度签订的短期协议，这类长期合约反映出下游客户当前更注重未来供应的稳定性，而非短期的库存调整灵活性。
由于HBM在利润水平和市场需求方面更具优势，主要内存制造商的扩产重点普遍集中于HBM产品线，部分厂商甚至已将原有通用DRAM产能转为HBM生产。这一产能调整使得通用DRAM在需求持续上升的同时，供给端反而面临收缩压力，预计这种供需失衡状况将在未来一段时间内持续存在。
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