AMD:GDDR7尚未采用,DDR6内存与GDDR8显存展望五年后
11月4日韩国SK AI峰会上,海力士公布了未来存储技术路线图,作为三大原厂之一,其行业话语权不言而喻。
根据规划,存储技术的下一个重大突破预计在2030年前后,确切地说是2029-2031年间,届时各项技术标准都将迎来全面升级。

在传统内存领域,DDR6内存与GDDR8显存均已进入研发阶段。其中DDR6进展更快,三大厂商已完成原型设计,正在验证测试环节。预计起步频率将达8800MT/s,最高有望突破17600MT/s。
GDDR8技术尚处于早期阶段,路线图上仅标注为"GDDR7-NEXT",不排除后续会命名为GDDR7X等变体版本。
值得注意的是,目前仅英伟达RTX 50系列显卡采用了GDDR7显存,AMD旗下产品尚未搭载这一技术。
移动版LPDDR6标准刚刚发布,下一代LPDDR7自然备受期待,但具体时间节点尚未明确。

在AI浪潮的推动下,HBM技术已成为重中之重。接下来我们将陆续看到HBM4、HBM4E等版本,英伟达和AMD的加速卡都会陆续搭载。再往后则是规划在2030年前后问世的HBM5与HBM5E。
存储方面,PCIe 5.0标准正在持续普及,很快将实现单盘245TB乃至更大容量(当然采用QLC颗粒)。刚完成制定的UFS 5.0规范之后,接下来将迎来PCIe 6.0时代。未来我们还将看到PCIe 7.0、UFS 6.0以及400层以上堆叠的闪存技术。

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