SK海力士发布AI存储路线图：2029-2031技术规划与突破

在2025年举办的AI峰会上，SK海力士展示了其在DRAM与NAND闪存领域的长期技术布局路线图，明确表示DDR6内存预计将在2029至2031年间正式投入市场。与此同时，公司还将推出GDDR7-Next显存以及支持PCIe 7.0接口的固态硬盘产品。这份技术蓝图涵盖了HBM、DRAM和NAND三大技术方向，既包含面向传统应用的标准解决方案，也涵盖了为人工智能应用优化的专用产品线。

根据规划，2026至2028年间，公司将推出采用16层堆叠结构的HBM4产品，并同步开发8层、12层和16层堆叠版本的HBM4E，同时提供定制化HBM4E方案以满足特定需求。在常规DRAM领域，将推进LPDDR6内存的量产；针对AI计算场景，则布局了LPDDR5X+SOCAMM2、MRDIMM+Gen2、LPDDR5R以及采用第二代CXL接口的LPDDR6-PIM等创新形态产品。

在NAND闪存方面，此阶段将实现基于QLC技术、单盘容量突破245TB的PCIe 5.0 SSD产品化，并推出支持PCIe 6.0协议的企业级与消费级SSD。移动设备端将采用UFS 5.0闪存标准，同时为AI应用开发高密度NAND存储方案，进一步提升数据吞吐能力。

展望2029至2031年，SK海力士计划发布下一代HBM5及其增强型HBM5E，并提供高度集成的定制版本。这类设计将更多控制器与协议IP整合进芯片内部，有效减少对外部GPU或ASIC芯片资源的占用，同时降低互联功耗。在显存技术上，路线图中提及GDDR7-Next而非GDDR8，意味着GDDR7仍具备较大性能拓展空间——当前GDDR7传输速率达30~32Gbps，理论上限可达48Gbps，此次规划表明其生命周期将持续至2030年前后。

同期，DDR6内存和3D DRAM技术也将于此阶段落地，预示着个人电脑与服务器平台将在2029年后逐步完成从DDR5向DDR6的过渡。NAND技术方面，届时将实现支持PCIe 7.0接口的消费级与企业级SSD产品，推出UFS 6.0移动存储方案，并发展堆叠层数超过400层的4D NAND技术。面向AI市场的高性能、高带宽AI-N系列产品也将同步推进，全面支撑未来智能化计算对存储系统的严苛要求。