第四代半导体获千万融资！氧化镓外延片成本降超50%

近日，镓创未来半导体科技（晋江）有限公司（以下简称“镓创未来”）宣布完成千万元级天使轮融资，投资方包括聚卓资本旗下的晋江人才科创基金、芯丰泽半导体及个人投资者。本轮募集资金将主要用于提升氧化镓外延片产能，加快第四代半导体材料的产业化进程。

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作为2025年7月成立的新锐企业，镓创未来专注于第四代超宽禁带半导体材料——氧化镓外延片的研发与生产。公司创始团队均拥有微电子学与固体电子学博士学位，从2015年起便投身于宽禁带半导体碳化硅和氧化镓材料与器件的研发，在材料外延生长、掺杂及器件制备等全产业链环节积累了近十年的技术沉淀。当前，公司已具备异质外延片的小批量生产能力。

氧化镓作为第四代半导体材料，凭借其超宽禁带、高击穿电场等特性，被视为理想的功率半导体材料。据镓创未来创始人介绍，氧化镓的禁带宽度达4.9eV，远高于碳化硅的3.3eV和氮化镓的3.4eV；其临界击穿电场高达8MV/cm，是碳化硅的三倍多；巴利加优值达到3444，分别为氮化镓的4倍和碳化硅的10倍。这些参数表明，氧化镓在功率器件应用中具有极低的导通损耗，功率损耗仅为碳化硅的1/7、硅基材料的1/49，对提升能源转换效率具有重要意义。

功率转换效率的提升对新能汽车、光伏逆变器等领域的应用至关重要。同时，氧化镓在日盲紫外波段的响应特性填补了市场空白，并有望拓展至3000V以上的超高压应用场景。然而，氧化镓的产业化进程长期面临衬底成本高、外延供应不足、材料性能局限等挑战。例如，目前氧化镓衬底生长需使用铱坩埚，导致国产2英寸氧化镓衬底价格高达2万元左右，是同尺寸碳化硅价格的40余倍，严重制约了其产业化发展。

在外延环节，国内产业尚处于早期阶段，现有产品存在尺寸小、厚度薄、迁移率低等问题，影响了产品成本、集成度、耐压可靠性及能效等指标。氧化镓的p型掺杂技术仍是行业公认难题，且材料本身的热导率较低，进一步限制了其性能发挥。

为突破这些技术瓶颈，镓创未来采取了两条关键路径：一是通过异质外延技术，在碳化硅、蓝宝石、硅等商业化衬底上生长氧化镓，将材料成本降低10倍以上；二是自主研发HVPE设备，实现大尺寸、厚膜、高迁移率的外延片生产，并在宽掺杂浓度范围等关键性能指标上取得突破。

镓创未来的核心产品包括氧化镓同质外延片及异质外延片，覆盖蓝宝石基、碳化硅基和硅基氧化镓外延片，可满足不同应用场景的需求。目前，公司已与二十余家科研机构建立合作关系，并与多家半导体客户签订采购合同。

在应用场景方面，氧化镓器件主要面向电力电子与光电探测两大领域。在电力电子领域，可覆盖新能源汽车（快充桩、OBC、主逆变器）、光伏逆变器及650V-3300V中高压工业电源等场景；在光电探测领域，依托其日盲紫外响应特性，可广泛应用于电网监控、消防预警、海上搜救等场景。基于市场需求，镓创未来重点聚焦高价值赛道：功率器件端主攻新能源汽车800V以上高压平台车载充电器、快充桩及AI数据中心工业电源等场景；光电器件端则聚焦日盲紫外探测、深紫外光源及光通信器件等应用方向。

据市场调查公司富士经济预测，2030年氧化镓功率元件的市场规模将达到碳化硅的36%，甚至超过氮化镓功率元件的规模。然而，目前氧化镓半导体材料仍处于从实验室走向产业化的早期阶段，需适配研发体系与市场导入策略。镓创未来采取分阶段推进策略：初期重点服务高校和科研院所，进行材料研究和器件开发；后续拓展与器件设计公司及IDM厂商的深度合作，推动产品在工业领域的应用；最终目标是随着技术和市场的成熟，规模化进入新能源汽车、工业电源和光伏等主流市场。

在产线建设方面，镓创未来一期项目已于2025年7月启动，并在晋江集成电路产业园落成超净间，主要用于氧化镓同质和异质外延产品的批量生产，为后续市场拓展提供产能保障。