海力士携手两大巨头布局HBF赛道，HBM之父预测英伟达将收购内存厂商

11月12日消息，TrendForce集邦咨询在周三（11月11日）发布一份行业分析报告，提及被誉为“HBM之父”的韩国学者金正浩教授最新观点。他认为在人工智能时代，系统性能的瓶颈正从GPU转向内存，而高带宽闪存（HBF）有望成为继HBM之后的下一个技术竞争焦点。

值得一提的是，金正浩现任韩国科学技术院电气工程系教授，被业界公认为将高带宽内存从理论概念带入产业实践的关键人物。

他在HBM相关的多个核心技术领域都做出了国际认可的创新研究，涵盖了硅通孔（TSV）、中介层（interposer）、信号完整性设计（SI）以及电源完整性设计（PI）。

在他近期参与的一档YouTube频道对话中，金正浩抛出了一个引人深思的判断：“在AI时代，算力的天平正从GPU向内存倾斜。”在他看来，内存将在人工智能时代扮演越来越核心的角色，甚至大胆预测未来英伟达可能会选择收购一家存储公司以完善其战略布局。

此外，他还着重强调了高带宽闪存的崛起势头，预计该技术将在2026年初取得阶段性突破，并于2027至2028年间正式进入商业化应用阶段。

随着传统机械硬盘行业艰难地向高成本的热辅助磁记录技术转型，近线固态硬盘凭借其成本效益正成为热门的替代方案。

与此同时，HBF被视为突破AI集群存储容量瓶颈的关键技术。在AI推理时代，内存容量变得至关重要，其中键值缓存等技术直接影响AI模型的响应速度。因此，金正浩相信HBF将与HBM并驾齐驱，共同构成下一代主流内存技术。

从技术原理来看，HBF与HBM确有相似之处，两者都采用硅通孔技术来垂直堆叠多层芯片。但不同之处在于，HBF基于NAND闪存构建，因此在容量和成本方面具备显著优势。

金正浩特别指出，尽管NAND闪存速度慢于DRAM，但其容量可超过后者的10倍。通过堆叠成百上千层，HBF能够充分满足AI模型对海量存储的需求，堪称“HBM的NAND版本”。

行业巨头已迅速行动起来。SanDisk与SK海力士已于2025年8月签署合作谅解备忘录，旨在共同制定HBF技术规范并推动行业标准化进程。他们的目标是在2026年下半年发布HBF内存样品，首批采用HBF的AI推理系统预计将于2027年初正式推出。

值得注意的是，在10月中旬举行的2025年OCP全球峰会上，SK海力士已率先展示了其全新的“AIN Family”存储产品系列，其中就包括采用HBF技术的AIN B系列。

三星电子也启动了自有HBF产品的初期概念设计工作，希望利用其在高性能存储领域的技术积累，满足数据中心对高带宽闪存日益增长的需求。不过，该项目尚处于起步阶段，具体规格和量产时间表均未最终确定。

展望未来，金正浩将AI的多层级内存体系比作一个智能图书馆：

GPU内的SRAM相当于桌面笔记，速度最快但容量最小；

HBM如同身旁的书架，用于快速存取和计算；

而HBF则像是地下书库，负责存储海量AI知识并持续为HBM输送数据。

他预测，未来GPU将同时集成HBM与HBF，形成优势互补的配置，标志着计算与存储深度融合的新纪元。