多家存储模组厂被迫推迟新品，存储涨价太快如何应对？

11月17日业内消息显示，随着AI数据中心对存储芯片的需求爆发性增长，当前存储芯片市场正面临持续的供应紧张与价格大幅攀升局面。

受此影响，多家存储模组制造商已决定将原计划于2025年下半年发布的新产品推迟至2026年上市，以观望供应紧张对存储价格的后续影响。包括海力士、十铨科技在内的品牌产品已出现显著涨价，不少厂商明确表示今年第三、四季度不会按原计划推出新品。

为满足AI产业对高性能存储的迫切需求，存储制造商正将DRAM产线转向利润更高的HBM及企业级高端DRAM产品。这一调整导致DDR4内存在市场上逐步停产，价格持续攀升，同时DDR5价格也出现大幅上涨。

最新动态显示，本月三星电子已将部分DDR5芯片的合约报价较9月初上调60%。DRAMeXchange统计表明，9月中旬至10月中旬期间，DDR5现货价格已实现翻倍增长。

NAND Flash市场同样受到波及。制造商优先保障AI客户的企业级SSD供应，消费级NAND Flash产品因此出现短缺与价格上涨。闪迪在9月率先将NAND Flash合约价上调10%，美光也因价格与产能调整暂停报价。近期市场进一步传出闪迪将涨幅提升至50%的消息，促使创见、宜鼎、宇瞻等模组厂暂停出货并重新评估报价策略。

存储芯片短缺与涨价已传导至下游消费电子领域。有传闻称，因GDDR7显存供应紧张，英伟达可能将GeForce RTX 50 Super系列的发布时间推迟至2026年第三或第四季度。日本零售商因供应不足已对存储模组实施限购，小米也预警手机价格可能因存储成本上升而上调。

目前，多家模组厂商与行业分析认为，由于上游DRAM与NAND Flash制造商在扩产方面态度保守，存储芯片短缺局面很可能延续至明年，甚至持续到2027年。

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