国产DDR5内存重磅发布：长鑫8000Mbps速率追平韩国技术

11月25日消息，近日，长鑫存储在IC China 2025（中国国际半导体博览会）上，正式发布了最新的DDR5和LPDDR5X产品，向占据领先地位的韩国及美国存储大厂发起挑战。

根据长鑫存储官方介绍，最新DDR5系列的最高速率可达8000Mbps，单颗颗粒最大容量为24Gb，各项指标均已达到国际先进水平，并同步推出了覆盖服务器、工作站及个人电脑全领域的七大模组产品。

此外，长鑫存储还展示了已于上月发布的LPDDR5X产品。该系列面向移动设备旗舰市场，最高速率达10667Mbps，单颗颗粒容量最高16Gb，并提供了涵盖12GB、16GB、24GB、32GB等多种封装规格的完整解决方案。

今年早些时候，市场曾出现过由中国企业生产的少量DDR5内存，但这次长鑫存储作为行业代表，首次公开展示了正式量产的产品。

半导体产业分析人士指出，长鑫存储展示的内存性能参数值得关注，其DDR5最高速率8000Mbps，较上一代产品（6400+Mbps）提升25%，在技术路线上已至少追平韩国竞争对手。业界专家认为，长鑫存储的产品性能已经能够满足搭载最新CPU的服务器的严苛要求。

根据韩媒《Business Korea》引用日经新闻及调研机构Counterpoint Research的数据，长鑫存储在第三季度DRAM市场份额达到8%，位列全球第四。在NAND闪存领域，长江存储第三季度市场份额为13%。

受美国对华出口管制影响，关键EUV光刻设备受限，使得中国半导体产业扩张步伐有所放缓，但在通用DRAM市场，与韩国领先企业的技术差距已缩小至不到一年。

韩国媒体分析认为，随着2030年3D DRAM时代的到来，全球竞争格局可能出现新的变数。3D DRAM是通过垂直堆叠内存单元的产品，当这一技术普及后，对EUV光刻设备的需求将显著降低，这可能成为中国企业实现技术超越的重要机遇。

首尔大学材料科学与工程系Hwang Cheol-seong教授表示，单纯从内存技术水平来看，韩国与中国之间的差距已经微乎其微。当无需EUV光刻设备的3D DRAM时代在五年后来临，中国企业将迎来更大的发展空间。