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国产DDR5内存重磅发布:长鑫8000Mbps速率追平韩国技术

国产DDR5内存重磅发布:长鑫8000Mbps速率追平韩国技术

热心网友 时间:2025-11-27
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11月25日消息,近日,长鑫存储在IC China 2025(中国国际半导体博览会)上,正式发布了最新的DDR5和LPDDR5X产品,向占据领先地位的韩国及美国存储大厂发起挑战。

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根据长鑫存储官方介绍,最新DDR5系列的最高速率可达8000Mbps,单颗颗粒最大容量为24Gb,各项指标均已达到国际先进水平,并同步推出了覆盖服务器、工作站及个人电脑全领域的七大模组产品。

此外,长鑫存储还展示了已于上月发布的LPDDR5X产品。该系列面向移动设备旗舰市场,最高速率达10667Mbps,单颗颗粒容量最高16Gb,并提供了涵盖12GB、16GB、24GB、32GB等多种封装规格的完整解决方案。

今年早些时候,市场曾出现过由中国企业生产的少量DDR5内存,但这次长鑫存储作为行业代表,首次公开展示了正式量产的产品。

半导体产业分析人士指出,长鑫存储展示的内存性能参数值得关注,其DDR5最高速率8000Mbps,较上一代产品(6400+Mbps)提升25%,在技术路线上已至少追平韩国竞争对手。业界专家认为,长鑫存储的产品性能已经能够满足搭载最新CPU的服务器的严苛要求。

根据韩媒《Business Korea》引用日经新闻及调研机构Counterpoint Research的数据,长鑫存储在第三季度DRAM市场份额达到8%,位列全球第四。在NAND闪存领域,长江存储第三季度市场份额为13%。

受美国对华出口管制影响,关键EUV光刻设备受限,使得中国半导体产业扩张步伐有所放缓,但在通用DRAM市场,与韩国领先企业的技术差距已缩小至不到一年。

韩国媒体分析认为,随着2030年3D DRAM时代的到来,全球竞争格局可能出现新的变数。3D DRAM是通过垂直堆叠内存单元的产品,当这一技术普及后,对EUV光刻设备的需求将显著降低,这可能成为中国企业实现技术超越的重要机遇。

首尔大学材料科学与工程系Hwang Cheol-seong教授表示,单纯从内存技术水平来看,韩国与中国之间的差距已经微乎其微。当无需EUV光刻设备的3D DRAM时代在五年后来临,中国企业将迎来更大的发展空间。

8000Mbps!长鑫DDR5内存重磅发布 专家:中国技术与韩国差距消失

来源:https://news.mydrivers.com/1/1088/1088690.htm

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