台积电A14 1.4nm工艺2028年量产：性能飙升80%创十年新高

11月30日消息，作为半导体晶圆代工领域的领先企业，台积电的技术路线始终备受业界关注。随着先进制程不断逼近物理极限，未来工艺节点将逐渐接近1纳米级别。那么，台积电将如何延续技术发展？让我们通过其最新公布的技术路线图来一探究竟。

在开放创新平台生态系统论坛上，台积电披露了未来数年的逻辑工艺发展规划，其中2025年是关键节点。目前量产的FinFET技术路线中，3纳米工艺已经成熟，涵盖N3、N3E、N3P、N3X及N3C等多个版本。

2纳米节点将首次采用Nanosheet晶体管技术，也就是GAA环绕栅极晶体管的具体实现。今年量产的是N2工艺，而率先确认采用这一技术的并非苹果，而是AMD基于Zen 6架构的EPYC处理器，预计将于明年正式上市。

后续还将推出N2P和N2X工艺，但值得注意的是，中间会插入A16 SPR工艺。SPR代表台积电的背面供电技术Super Power Rail，据称与Intel的PowerVia存在显著差异，技术上更为先进。不过具体效果还需等待量产后才能准确评估。

A16 SPR实质上是最初规划的2纳米工艺，但在研发过程中经历了多次调整。台积电选择将GAA技术与背面供电技术错开量产，而不是像三星、Intel那样在同一代工艺上同时实现。

随后的A14节点将是一次重大升级，GAA与背面供电技术首次融合，预计在性能和能效方面都会带来更出色的表现。

台积电公布这份路线图的目的，在于证明其有能力在未来数年内保持每年更新工艺的节奏，且每一代工艺在性能和能效上都能实现稳步提升，这无疑给客户注入了强大信心。

以2018年的7纳米节点N7为基准，每代工艺在相同功耗下性能提升幅度约在15-18%之间，而同性能下功耗则会大幅下降。从N7到N3，每代工艺的功耗都降低了三分之一以上，而从N3到未来的A14工艺，每代功耗降幅约为四分之一。

对比N7基准，台积电提到A14工艺在相同功耗下性能提升达83%，能效方面更是实现了3.2倍的飞跃。

这意味着从2018年到2028年的十年间，芯片工艺性能累计提升约80%。这个数据如何理解？如果还想着对比摩尔定律，显然会令人失望。不过业界也很清楚，28纳米节点之后摩尔定律就逐渐失效了，能够实现80%的性能提升已经相当不易。

2018年采用N7工艺的代表性处理器是苹果A12，最高频率仅2.5GHz，晶体管数量69亿个。而当前的A18 Pro处理器已经能够实现4GHz频率，集成200亿晶体管。距离未来的A14节点还有两三代工艺的发展空间，达到5GHz频率、300亿晶体管规模应该是可以期待的。