英特尔发布三大晶体管新材料，漏电率降低1000倍

12月9日消息，当下半导体行业正集体致力于如何进一步缩小晶体管尺寸、推动更先进的制程工艺。其中，寻找新型且性能更优的晶体管材料，已成为行业攻坚的一大关键。

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在2025年度IEEE国际电子器件大会（IEDM）上，英特尔及其代工服务部门Intel Foundry的团队，展示了三种极具应用前景的MIM堆叠材料，分别为：铁电锆铪氧化物（HZO）、氧化钛（TiO）以及钛酸锶（STO）。

其中，后两者均属于超高K介电材料范畴。

这些材料均用于片上金属-绝缘体-金属（MIM）去耦电容。此次突破性进展有望解决先进工艺中的一个关键挑战：即在晶体管不断缩小的同时，如何保持稳定可靠的供电能力。

三种新材料均可应用于深沟槽电容结构，并且与标准的芯片后端制造工艺相兼容，这意味着它们能直接用于现有的产品线。

它们能大幅提升平面电容密度，实现每平方微米60至98飞法拉的性能，同时具备卓越的可靠性，其漏电水平比业界目标低了约1000倍——严格来说，是降低到了千分之一。

同时，这些材料在达成高性能的同时，不会牺牲关键的可靠性指标，包括电容漂移和击穿电压等。

大会上，Intel Foundry的研究人员还探讨了其他先进工艺话题，包括：

－ 超薄GaN晶粒技术：

英特尔展示了基于300毫米晶圆的、功能完整的氮化镓（GaN）晶粒，其厚度仅有19微米，尚不及一根人类头发丝，同时配有完整的集成数字控制电路库。这项技术有望解决下一代高性能电力及射频（RF）电子器件在供电和效率方面所面临的挑战。

－ 静默数据错误：

传统制造测试可能遗漏一些关键缺陷，导致数据中心处理器出现静默数据损坏。因此，需要采用多样化的功能测试方法，以确保大规模部署的可靠性。

－ 2D FET的可靠性：

即二维场效应晶体管。英特尔与维也纳工业大学合作，探讨了二维材料（例如二硫化钨）在未来能否取代硅，用于实现更微型化的晶体管。

－ 2D FET的选择性边缘工艺：

英特尔与IMEC合作，改进了用于形成源极、漏极接触以及栅极堆叠集成的技术模块，降低了等效氧化层厚度，并与现有晶圆厂工艺兼容。

－ CMOS微缩：

英特尔与韩国首尔大学合作，探讨了互补金属氧化物半导体（CMOS）微缩技术的最新进展，包括如何平衡功耗、性能和面积，以及背面供电网络、设计工艺协同优化等，旨在推动半导体技术持续发展，满足人工智能和高性能计算日益增长的算力需求。