三星10nm以下CoP DRAM技术首次亮相,瞄准0a/0b代应用
12 月 17 日消息,据 TheElec,三星电子与三星综合技术院(SAIT)于当地时间 12 月 10 日在旧金山举行的 IEEE 国际电子器件会议(IEDM)上,公开了一项用于实现 10 n
12月17日消息,据TheElec报道,三星电子与三星综合技术院(SAIT)于当地时间12月10日在旧金山举行的IEEE国际电子器件会议(IEDM)上,公开了一项应用于实现10纳米以下制程DRAM的核心技术。这项技术有望应用于0a或0b世代DRAM产品的制造。
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