台积电2nm明年量产，GAA架构技术实现跨越式突破

据12月17日报道，《经济日报》前晚援引消息指出，台积电已全面将2纳米节点转向GAA架构，目标在于实现性能与能效的显著跃升，从而迅速吸引了大量客户跟进。

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市场需求之旺盛已超出台积电原有规划。此前两座2纳米晶圆厂的产能被迅速预订一空，台积电因此需要追加三座新厂，总投资规模约达286亿美元（按现行汇率折合约2015.92亿元人民币）。最新消息显示，台积电2026年的2纳米产能已被全部预订，量产时间预计落在当年年底。

在客户结构方面，高通、联发科、苹果和AMD均在排队等候。台积电计划在2026年底前将月产能提升至10万片，2纳米制程有望成为公司未来增长的核心动力。

技术层面来看，相较于FinFET，GAA通过纳米片堆叠结构强化了电流控制能力，并有效抑制漏电，使得2纳米在相同功耗下能带来10%至15%的性能提升，或在性能不变的情况下实现25%至30%的功耗下降。

报道中同时提及，三星虽率先启动2纳米GAA量产，但目前披露的数据相比3纳米节点并无明显突破。业内认为这与良率尚未完全成熟有关，后续仍有改善空间。

总体而言，台积电并未急于追求时间优势，而是选择以制程质量优先应对技术挑战。市场预计，台积电2026年的资本支出将攀升至480亿至500亿美元（按现行汇率约合3383.36亿至3524.33亿元人民币），刷新历史纪录。