日本研发出全新纳米压印技术，工艺直逼1.4nm可替代EUV光刻机
尽管在EUV光刻机领域已错失先机，但日本仍是全球第二大光刻设备供应地。近年来，日本企业正蓄力研发能够替代EUV的先进光刻方案，并将技术路线锁定在NIL纳米压印领域。
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此前，佳能、尼康等公司已展示过相关技术雏形。如今，日本DNP公司（大日本印刷株式会社）正式宣布成功开发出10纳米节点的NIL纳米压印技术，该技术可直接将电路图案印制在基板上，并可用于1.4纳米工艺的逻辑芯片曝光制程。
在具体实现上，DNP的10纳米纳米压印技术采用了SADP自对准双重图案技术，通过单次曝光结合两次图形处理，即可实现精度翻倍的芯片制造。这一方案能满足先进逻辑芯片的工艺要求，且在功耗方面优势显著——DNP宣称其能耗仅为当前主流工艺的十分之一左右。
该公司研发NIL技术已超过二十年，目前相关工艺已可部分替代EUV光刻，为芯片制造商提供了另一种高精度工艺选择。现正与硬件供应商合作启动技术评估。
DNP计划在完成客户验证、建立量产与供应体系后，于2027年开始量产供货。
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