台积电核心制程:为何两代技术后才准许赴美设厂?
12月18日消息,过去一度没有在美国建厂计划的台积电,近年来却在美方压力下持续追加投资,最新承诺额度已达1650亿美元。而美方近期更是暗示,这一数字可能需要提升到2000亿美元以上。
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对台积电而言,这不仅仅意味着要在美国进行巨额资金投入,还必须将尖端制造工艺也转移到美国工厂。其一期工厂原计划生产5nm芯片,去年底投产后已转为4nm工艺。
正在建设的二期工厂预计将导入3nm工艺,而根据后续投资规划,从2nm到1.4nm的先进制程,也将逐步转移至美国本土进行生产。
台积电如此积极地将产能向美国转移,难道不担心核心技术外泄吗?这确实是外界最为关注的焦点之一。此前台积电曾多次公开回应此类疑虑,强调最先进的工艺仍会留在总部基地生产。
如今更有主管部门负责人出面表态,称关键技术的转移都会受到严格管控,相关技术人员也会纳入管理范围。台积电未来即便推进到1.4nm工艺,也必须满足“N-2”要求后才可能出海生产。
所谓“N-2”,意味着海外基地投产的制程工艺,必须比台积电本土最新技术落后两代以上。例如,当台积电本土最先进的量产工艺是2nm(N2)时,海外工厂就只能生产5nm级别(N5)的芯片,中间还隔着整整一代3nm工艺。
未来当台积电量产1.4nm(A14)工艺后,2nm制程才会在美国工厂投产,其间还隔着1.6nm工艺(A16)这一代。

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