台积电2nm量产首发客户是谁?
12月30日传来消息,台积电已悄然启动N2 2nm工艺的大规模量产,整个过程非常低调,并未进行任何官方宣传,但这与其此前制定的进度计划完全吻合。
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台积电官方的2nm工艺专题页面有这么一句话:“台积电2nm技术已按计划于2025年第四季度投入量产。”
明年,台积电N2工艺的产能将快速爬升,以迎接各家客户的产品需求,包括NVIDIA、AMD、苹果、高通、联发科等都将采用这一先进制程。

N2是台积电首个应用GAA(环绕栅极纳米片晶体管)的制程节点,在技术上与英特尔RibbonFET有些类似。
该技术通过栅极完全包裹由水平堆叠纳米片构成的导电沟道,优化了静电控制效果,降低了漏电率,从而在不牺牲性能与能效的前提下进一步缩小晶体管尺寸,实现密度提升。
N2工艺还在供电部分集成了超高性能金属-绝缘体-金属电容器(SHPMIM),其电容密度比之前的高性能金属-绝缘体-金属电容器(SHDMIM)提升超过2倍,同时将薄层电阻(Rs)、通孔电阻(Rc)降低了50%,从而提升了供电稳定性、芯片性能和综合能效。

按照台积电给出的说法,N2相比N3E在同等功耗下性能提升10-15%,同等性能下功耗降低20-25%,晶体管密度则提升15%。
N2工艺后续还有两个升级版本,N2P预计2026年下半年量产,性能再提升5-10%,功耗再降低5-10%。
N2X则将在2027年量产,对比N2P继续提升10%的性能,功耗也进一步降低。
再往后便是A16、A14,其中前者业界首发超级供电电路(SPR),量产工作也将于2026年下半年如期推进。


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