威刚SD 8.0 SDXC卡实测：顺序读写达1.6/1.2 GB/s

1月6日，科技媒体TechPowerUp发布报道称，在CES 2026展会期间，威刚（ADATA）集中展示了旗下最新的消费级闪存及嵌入式存储产品线。

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本次展台的亮点之一，是旗舰级SDXC存储卡。它基于SD 8.0规格打造，通过引入PCIe Gen 3 x2通道与NVMe 1.3协议，实现了高达1.6 GB/s的顺序读取速度与1.2 GB/s的顺序写入速度。

这款高性能存储卡主要面向专业摄影与高清视频录制的高吞吐需求，搭载了慧荣科技（SMI）的SM2708主控芯片，并提供512 GB与1 TB两种大容量选择。

针对小型移动设备市场，威刚推出了新款microSDXC存储卡。援引博文介绍，该产品采用SD 7.1标准及SD Express PCIe Gen 3 x1接口，同样搭载SM2708主控芯片，容量覆盖256GB至1TB，连续读取速度达到800 MB/s，写入速度可达700 MB/s。

值得注意的是，威刚明确表示该款存储卡完全兼容任天堂Switch 2游戏机，这一最新背书侧面印证了新一代掌机将支持更高规格的存储扩展标准。

威刚在嵌入式存储领域同样带来了创新方案，推出了型号为EPOP51C-02G32ATE的ePOP封装模块。该模块创新性地将eMMC存储与LPDDR4X内存集成于单一封装内，可直接堆叠于SoC芯片上方以大幅节省电路板空间。

其内部包含32 GB的3D TLC NAND闪存与32 GB的LPDDR4X内存（HS400模式），存储部分提供190 MB/s的读取与115 MB/s的写入速度。同时展出的还有型号为EMMC51C-128GBTE的128 GB独立eMMC封装产品，读写速度分别为300 MB/s和260 MB/s。

为满足高端移动设备对数据吞吐的严苛需求，威刚还发布了高性能UFS 3.1存储系列。其中，型号为UFS31A-512GATE的产品拥有512 GB容量，其连续读取速度飙升至2.2 GB/s，写入速度亦达到1.9 GB/s。

该系列同时提供256 GB容量版本（UFS31A-256GATE），凭借极高的读写性能，为旗舰级智能手机及平板电脑提供了极具竞争力的存储选择。

CES 2026消费电子展专题