三星电子利润创新高：存储芯片需求爆发成关键驱动力

1月8日，三星电子公布了最新业绩数据，根据合并财务报表口径计算，公司在2025年第四季度实现营业利润同比增长208.2%，创下历史新高的20万亿韩元（约合138亿美元）。销售额同比上升22.7%，同样刷新了历史纪录。

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三星电子业绩大幅增长主要得益于供应紧张和人工智能驱动的需求激增，推动了传统存储芯片价格持续走高。作为全球三大存储芯片供应商之一，三星在这一轮行情中获得了显著收益。

数据显示，去年第四季度三星电子营业利润达到20万亿韩元（约合人民币964亿元），同比激增208.2%，环比增长64.3%；销售额为93万亿韩元，同比增长22.7%，环比上升8.1%。这两项业绩指标均超出市场预期。据此前统计，市场曾预测三星电子2025年第四季度营业利润将同比增长202.6%，达到19.6457万亿韩元；销售额将同比增长22.1%，达到92.5445万亿韩元。

回顾历史数据，三星电子此前的单季营业利润峰值是2018年第三季度创下的17.6万亿韩元。此次20万亿韩元的业绩不仅打破了这一保持多年的纪录，更较上年同期的6.49万亿韩元实现了翻倍以上的增长。

三星电子计划于1月29日公布2025年第四季度正式财报，其中将包含各业务部门的具体利润情况。目前，存储芯片价格依然持续攀升，且涨幅惊人。三星作为主要受益者，预计将推动2026年年度业绩进一步增长。

人工智能服务器对存储芯片的需求量达到普通服务器的8到10倍。这导致高端存储芯片供应陷入严重短缺，引发价格"失控式"上涨。根据TrendForce集邦咨询数据，自2025年9月以来，DDR5内存颗粒现货价格暴涨307%，DDR4涨幅也超过158%。第四季度全球一般型DRAM价格季增8%—13%，若计入HBM则涨幅扩大至13%—18%；NAND Flash各类产品合约价全面上涨，平均涨幅达5%—10%。

作为全球最大的内存芯片制造商，三星电子通过产能结构优化抓住了这一轮涨价红利。公司大幅缩减消费级通用存储芯片的产能，将资源集中投向HBM、DDR5等高端高毛利产品的生产，尤其是在HBM领域实现了关键技术突破。

三星电子此前在HBM领域一度落后于竞争对手SK海力士和美光科技，而目前这一差距正在缩小。受此影响，三星股价在2025年上涨了125%，创下26年来最大年度涨幅。

日前，韩国媒体《韩国经济日报》援引行业匿名人士消息称，三星电子与SK海力士计划在2026年第一季度将服务器DRAM价格较2025年第四季度提高60%至70%。报道称，两家公司同时向个人电脑与智能手机DRAM客户提出了相近幅度的涨价方案。

上述报道称，两家公司此次提价策略基于对市场需求持续走强的预判。据悉，三星与SK海力士坚持采用季度合约而非长期协议，以灵活适应价格变动。

TrendForce最新调查也对今年一季度存储芯片价格作出了预判，传统DRAM合约价格环比上涨55%至60%，NAND闪存产品类别的合约价格上涨33%至38%。

TrendForce还预计，2026年第一季度服务器DRAM的价格将环比上涨超过60%。

TrendForce表示，人工智能推理驱动的基础设施发展持续推动着美国通信服务提供商（CSP）的采购。自2025年底以来，这些公司一直在拉拢订单，从而增加了对服务器DRAM的需求。随着供应商库存接近枯竭，出货量增长完全依赖于晶圆产量的增加，供应紧张的局面持续加剧。

里昂证券韩国区研究主管Sanjeev Rana表示，2025年第四季度，DRAM芯片的平均售价环比上涨超过30%，NAND闪存的平均售价环比上涨了约20%。"超大规模数据中心运营商和云服务商正在大量采购DRAM，而且愿意支付溢价。"Rana表示，并补充称，强劲价格走势有望贯穿整个2026年，甚至延续至2027年上半年，"即便在那之后，价格也可能不会明显回落，因为市场需求过于强劲，而供应端则处于紧张状态"。

根据最新报道，三星电子已于2025年向英伟达交付其尖端的HBM4样品进行资格测试，公司也有望在2026年上半年开始大规模生产，以支持英伟达即将推出的Rubin处理器。CLSA预计，随着HBM4进入商业供应阶段，三星的HBM总出货量将在2026年增加两倍。

北京商报综合报道