三星Exynos芯片将采用SoC与内存3D堆叠封装技术
12月30日消息,据韩国媒体ZDNET Korea报道,三星电子正在研发一项名为FOWLP-SbS的先进封装技术,这项技术有望显著提升Exynos芯片的散热能力。
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目前,高端移动处理器(例如Exynos 2600)通常在SoC Die逻辑芯片上集成封装DRAM内存,这样做既能优化布线,也能缩减占用的空间。此外,Exynos 2600还在SoC Die上引入了HPB散热结构,从而将热阻降低了多达16%。

▲ Exynos 2600结构示意图
而在采用FOWLP-SbS封装的芯片上,SoC Die和DRAM将并排放置,上方共同覆盖HPB散热结构。这种布局有利于扩大SoC Die与HPB的接触面积,从而进一步增强散热效果。预计SoC Die与DRAM之间将通过混合键合技术实现短距离的高效互连。
韩媒分析指出,FOWLP-SbS技术可以降低封装成品的厚度,支持使用更厚的SoC Die和DRAM芯片,有助于优化供电线路设计。不过,该技术也存在占用面积更大的劣势。预计它将优先应用于注重厚度的折叠屏设备上,这类设备对平面空间的限制相对较小。
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