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三星1c nm DRAM良率突破60% 加速量产HBM4

三星1c nm DRAM良率突破60% 加速量产HBM4

热心网友 时间:2026-01-17
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1月17日,据韩国媒体报道,三星电子第六代10纳米级DRAM内存制程工艺(即1c nm)的良率已提升至约60%,成功突破量产盈亏平衡点。这一进展被视为关键里程碑,因三星即将推出的HBM4内存正是基于

三星1c nm DRAM良率突破60% 加速HBM4量产

1月17日,韩国媒体消息称,三星电子第六代10纳米级DRAM制程工艺(即1c nm)的良品率已大幅提升至60%左右,成功跨越了规模化量产的成本门槛。这一进展被视为关键突破,因为三星即将推出的HBM4内存在很大程度上依赖于这项核心技术。更高的DRAM晶粒良率意味着,未来在HBM4产品上能更好地控制成本,并打开利润空间,从而有望提升公司的整体业绩。

报道进一步指出,三星电子已经调整了该项目的发展策略。此前公司采取的是优先保证良率、谨慎推进量产的策略,如今则回归快速放量的传统模式,以更主动的姿态应对瞬息万变的市场需求。此举或将帮助三星从英伟达等主要客户手中争取到更多订单,从而巩固其在激烈的市场竞争中的地位。

此前,有业内人士分析认为,在当前HBM3E平台需求持续走强、产品规格不断提升的背景下,高带宽内存的大规模生产预计最早将在2026年第一季度末逐步展开。目前,三星电子、SK海力士与美光仍有时间窗口继续优化产品良率,为下一阶段的市场竞争做好充分准备。

来源:https://dt.zol.com.cn/1119/11190225.html

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