中微半导体首款非易失性存储器芯片即将发布
新京报贝壳财经讯 1月19日,中微半导公告,近日,公司即将推出首款非易失性存储器芯片,该产品为4M bit容量的低功耗SPI NOR Flash,存储阵列共2048个可编程页,每页容量为256字节,
据新京报贝壳财经报道,1月19日,中微半导体发布公告称,公司近日将推出其首款非易失性存储器芯片。该产品为4M bit容量的低功耗SPI NOR Flash,其存储阵列包含2048个可编程页,每页容量为256字节。单次编程写入数据量最高可达256字节,并支持多种擦除模式。此芯片具备低成本、低功耗、SPI高速读写以及掉电不丢失数据等特点,能够适配各类小容量存储需求场景。
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