三星电子开发4~2nm定制HBM基础裸片方案，引领先进工艺
1月21日消息，韩媒ZDNET Korea当日报道称，三星电子将在HBM4之后的定制HBM内存上继续推行“制程优势”策略，提供从4nm到当前最先进的2nm的一系列基础裸片解决方案。
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注：台积电则计划为定制HBM基础裸片导入N3P制程。
搭载HBM内存的高阶AI XPU芯片正面临单颗芯片理论最大面积（858mm²的光罩尺寸）限制算力进一步提升的情况，化解这一问题的方式除了多芯片的物理/通信互联外，还包括将部分电路卸载到邻近的HBM基础裸片上。
由于HBM内存进入HBM4后，HBM基础裸片也采用逻辑半导体制程，因此可承载原应由XPU主体担负的电路功能。而HBM基础裸片工艺越先进，其就越能容纳更多逻辑电路、能效表现也越出色。
内部人士表示，三星电子的定制HBM基础裸片解决方案由系统LSI业务新设立的定制SoC团队负责。
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