国产新器件突破：更高存储密度，更小空间占用
如何让存储设备“装得更多、体积更小”？借助极限尺寸功能结构大幅提升器件存储密度，正成为当今材料科学与信息技术交叉融合的前沿方向。近日，中国科学院物理研究所团队在萤石结构铁电材料中发现了一维带电畴壁，其厚度和宽度均仅为人类头发直径的数十万分之一。这项发现为开发具有极限密度的新型器件奠定了重要科学基础。
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铁电材料是一类特殊的晶体材料，其内部的正负电荷无需外部电场作用便能自发分离并规则排列，分离方向一致的区域形成铁电畴，畴壁则是不同铁电畴之间的界面。以往学界认为三维晶体中的畴壁必然是二维平面，而这项研究的新发现则颠覆了这一传统认知。
据介绍，铁电材料在信息存储、传感、人工智能等领域展现出巨大的应用潜力。利用一维带电畴壁进行信息存储，有望将存储密度提升数百倍，理论预计可达每平方厘米约20TB。这相当于将一万部高清电影或二十万段高清短视频，存储在一张邮票大小的设备中。相关研究成果已于北京时间1月23日凌晨在国际学术期刊《科学》上发表。
来源：刘廼/新华社客户端
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