三星2nm工艺良率达预期，高通将重启骁龙8旗舰芯代工

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2026年1月27日，行业观察指出，这一年将成为三星晶圆代工业务的关键转折点。最新进展显示，其2纳米环绕栅极工艺的良率已趋于稳定，随着客户订单持续增加，这项业务预计将在2027年实现盈利。

与此同时，台积电现有产能正趋于饱和，部分长期合作客户开始积极寻求多元化的代工选择。其中，高通已明确表示，会将三星纳入其下一代旗舰芯片的供应体系。

三星位于美国得克萨斯州泰勒市的晶圆厂已完成大规模投资，总额超过370亿美元。该工厂计划于2026年3月启动极紫外光刻设备的测试运行，并同步推进产线升级，由现行的4纳米制程全面转向2纳米环绕栅极工艺。

此次升级引发了业界的高度关注。继AMD之后，高通将成为三星在这一先进制程节点上的重要合作伙伴。为优化供应链成本结构，高通已决定将后续骁龙8系列旗舰移动平台交由三星代工，采用其2纳米环绕栅极工艺。

据可靠消息，即将发布的骁龙8 Elite Gen6标准版芯片将采用三星2纳米环绕栅极工艺，而Pro版本则会沿用台积电N2P工艺；到了2027年发布的骁龙8 Elite Gen7系列，则有望全面切换至三星代工。

历史数据显示，骁龙888与骁龙8 Gen1均由三星代工，但因终端功耗与温控表现未达预期，自骁龙8+ Gen1起，高通转由台积电承接主力旗舰芯片的制造任务。如今，在成本控制与先进制程能力的双重驱动下，高通回归三星代工体系的趋势已日益明朗。