英特尔难再代工苹果芯片？业内析三大关键原因

进入2月，一则关于苹果与英特尔合作的传闻在业内激起了不小的涟漪。过去几周，两家科技巨头可能携手的话题引发了广泛的猜测与讨论。

据某券商机构透露，苹果公司正考虑将部分芯片制造业务委托给英特尔。具体来说，英特尔可能会为苹果代工部分M系列处理器以及非Pro版iPhone的芯片。根据预测，采用英特尔工艺的低端M系列芯片有望在2027年出货，而到了2028年，iPhone标准版机型或将搭载采用英特尔18A-P先进制程的芯片。

消息进一步指出，苹果与英特尔已签署了保密协议。苹果方面已获得了英特尔18A-P工艺的PDK（工艺设计套件）样本，用于前期的产品设计与评估。资料显示，英特尔的18A-P是其首个支持Foveros Direct 3D混合键合技术的工艺节点，该技术允许多个小芯片通过硅通孔（TSV）实现垂直堆叠，为芯片设计带来更高灵活性。

然而，面对这一看似美好的合作前景，不少行业人士却泼了盆冷水。他们普遍认为，英特尔几乎不可能拿到iPhone芯片的代工订单，其核心障碍在于一项关键技术——背面供电（BSPD）。

具体来看，台积电在不同工艺节点的策略更为灵活，部分采用BSPD，部分则未采用，以此优化其产品组合的性能与能效平衡。而英特尔则在其最先进的18A和14A工艺上全面押注BSPD技术。

据了解，BSPD技术的主要优势在于提升芯片性能。由于电力通过芯片背面更短、更粗的金属路径输送，有效降低了电压降，从而支持芯片在更高、更稳定的频率下工作。但对于强调能效比的移动设备芯片而言，这种方案带来的性能增益可能微乎其微，代价却不容忽视。

更棘手的是，BSPD方案会引发严重的芯片自热效应，必须依赖额外的散热措施来解决。由于垂直方向的散热效果较差，横向散热更是困难，在许多依赖空气散热或存在严格温度限制的应用场景中，这种方法根本行不通。

正是这些难以克服的散热问题，让行业分析人士断定，英特尔在短期内绝无可能获得iPhone芯片的代工订单。当然，对于M系列处理器而言，由于设备内部散热空间相对充裕，双方或许仍存在合作的可能性。