英特尔携手软银芯研Z-Angle内存，瞄准2029年AI高带宽存储量产

科技界传来新动向。3月2日，英特尔公司正式宣布，将与软银集团旗下的子公司SAIMEMORY携手合作，共同推进新一代内存技术Z-Angle Memory（简称ZAM）的研发与产业化进程。

英特尔早年以动态随机存取存储器起家，四十余年前因外部市场环境变化转向中央处理器领域。如今，伴随人工智能与高性能计算对存储系统提出更高要求，该公司正回归存储技术前沿，启动全新内存布局。

根据双方联合发布的计划，SAIMEMORY将依托英特尔下一代内存键合计划（NGDB）所验证的基础技术与研发成果，开展ZAM内存的工程化开发。该计划已获得美国能源部下属桑迪亚国家实验室、劳伦斯利弗莫尔国家实验室及洛斯阿拉莫斯国家实验室联合发起的先进存储技术（AMT）项目支持。

项目设定了明确的时间节点：力争在2027财年（截至2028年3月31日）完成ZAM内存原型设计与功能验证；并于2029财年（截至2030年3月31日）实现规模化量产，整体研发周期约为四年。

ZAM内存面向人工智能训练与推理、大规模科学计算等高负载应用场景，核心设计目标为兼顾大容量、高带宽与低功耗特性。尽管具体性能参数尚未披露，但其技术路径倾向于在保持高数据吞吐能力的同时，显著优化单位带宽能耗与单颗芯片存储密度。

业内分析认为，ZAM有望成为高带宽内存架构中一种更具成本效益与能效优势的演进方案。值得注意的是，此前英特尔终止的傲腾持久内存技术，虽曾因制造成本与市场接受度问题退出主流视野，但其介于传统内存与非易失存储之间的特性，正契合当前AI数据中心对层级化、异构化存储日益增长的需求。ZAM技术或可视为在傲腾理念基础上，融合先进封装、新型材料及系统级协同设计所形成的升级形态。