长鑫上海新厂扩DRAM产能,长江武汉三期晶圆厂布局AI存储
2026年2月3日,在全球存储芯片供应持续紧张的背景下,中国两家主要存储芯片企业正加快推进产能扩张,以提升市场响应能力与技术竞争力。长鑫存储作为国内规模最大的动态随机存取存储器制造商,正在上海建设一

2026年2月初,全球存储芯片供应持续紧张,在此背景下,中国两家主要存储芯片企业正加速推进产能扩张,以提升市场响应能力与技术竞争力。
作为国内规模最大的动态随机存取存储器制造商,长鑫存储正在上海建设一座全新的生产基地。该工厂建成后,新增产能预计将达到其合肥总部基地现有产能的两到三倍。设备安装工作计划于2026年下半年启动,并在2027年实现正式量产,产品将覆盖服务器、个人电脑及汽车电子等多个应用领域。与此同时,企业还在上海同步扩建高带宽存储器产线,重点满足人工智能对高性能内存日益增长的需求。
目前,长鑫存储位于合肥与北京的现有工厂均已满负荷运行。据内部人士透露,国内下游客户订单需求旺盛,企业亟需通过扩大产能来保障供应稳定。
另一家核心企业长江存储,作为国内领先的NAND闪存制造商,正在武汉推进第三座晶圆厂的建设,预计同样于2027年投入运营。新厂在规划阶段即明确兼顾多种产品布局:除延续NAND闪存制造外,将有半数产能用于DRAM生产;此外,还将联合国内存储封装企业,共同开发适用于人工智能计算场景的高带宽存储器产品。
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