HBM之父：未来十年HBF市场规模将超HBM，韩企主导

在近期于首尔举办的“HBF研究与技术开发战略说明会”上，被誉为“HBM之父”的韩国科学技术院（KAIST）教授金正浩（Kim Jeong-ho）发表观点指出，预计将于明年实现商业化的下一代NAND闪存产品——高带宽闪存（HBF），其市场规模有望在大约十年后超越当前AI半导体的核心组件高带宽内存（HBM）。

金教授强调，随着AI的思维与推理能力变得日益重要，以及数据处理从文本到语音界面的转变，所需的数据量将不可避免地呈爆炸式增长。他认为，如果说PC时代的中枢是中央处理器（CPU），智能手机时代的关键在于低功耗，那么AI时代的核心便是内存：“HBM决定了速度，而HBF则决定了容量。”

HBF是一种通过垂直堆叠主要用于长期存储的NAND闪存来显著增加容量的内存，其堆叠方式类似于HBM。随着AI智能体服务的扩展，充当长期记忆的“键-值”（KV）缓存内存作用日益凸显，过去由HBM承担的角色，正逐渐转向由NAND内存来担当。

在此次说明会上，金教授展示了利用HBF的下一代内存架构构想。例如，可以在GPU两侧各搭载4个HBM和HBF模块，实现总计96GB HBM容量和2TB HBF容量的方案。他形象地比喻道：“HBM将充当书架，而HBF则将充当图书馆”，前者可立即取用所需资料，后者则能一次性容纳更多资料，尽管存取速度稍慢。

金教授预测，仅靠HBM将无法应对爆发性增长的需求，行业将不可避免地采用HBF。他进一步指出，当CPU、GPU和内存被有机整合在单一基础芯片上的内存中心计算（MCC）架构成熟时，所需的HBF数量将进一步增加，并预计HBF的需求将从2038年起超越HBM。

目前，全球主要公司如三星电子、SK海力士和闪迪等正在加速HBF的开发。

金教授认为，韩国公司占据更有利的位置。因为闪迪仅专注于NAND闪存，而三星电子和SK海力士同时拥有HBM和先进的封装能力。

他表示：“韩国将能够在未来10-20年的结构性变革中引领AI计算机的发展，而其中的支柱正是HBF。”

据悉，SK海力士正以明年实现量产为目标开发HBF。

金教授总结道：“HBF的制造工艺与现有HBM工艺极为相似，因此最终将成为一场技术速度的竞赛。而要实现全面商业化，哪些服务会采用它将是关键所在。”他主张，继HBM之后，韩国内存制造商也必须在HBF上掌握主动权，以免在AI市场中丧失影响力。一个以内存为中心的AI时代正在展开。