英特尔携ZAM内存新技术重返DRAM，单芯512GB功耗降40%

2026年2月4日，随着人工智能基础设施建设热度持续攀升，动态随机存取存储器的需求显著增长，全球内存供应链承压加剧。在此背景下，英特尔宣布将重新进入阔别四十年的DRAM市场。

该公司与软银旗下公司赛忆科技建立了深度合作关系，共同研发一种名为ZAM（Z角内存）的新型内存技术。该技术单颗芯片最高容量可达512GB，功耗较当前主流高带宽内存降低四成至五成，有望对人工智能时代的全球内存产业格局产生深远影响。

当前，人工智能大模型训练与超大规模数据中心运行对算力提出空前要求，高速、高密度、低功耗的内存已成为支撑AI硬件体系的关键环节。ZAM技术的核心突破在于其架构创新：摒弃传统垂直布线方式，采用基于对角线走向的“Z字形”交错互联拓扑结构，优化多层芯片堆叠布局；结合铜-铜混合键合工艺，实现各功能层间的高效融合，最终形成高度集成的一体化硅基结构。

此外，ZAM采用无电容设计，依托英特尔成熟的嵌入式多芯片互连桥接技术，与AI处理器实现高速、低延迟、高带宽连接。这一设计不仅简化了制造流程，也显著提升了单位面积存储密度，并有效降低芯片热阻。

对比当前AI领域广泛采用的高带宽内存，ZAM在多个维度具备明显优势：单芯片容量大幅提升，突破现有主流产品上限；功耗下降幅度达四成以上，直击人工智能数据中心能耗居高不下的现实瓶颈；Z形互联结构兼顾性能与可制造性，为后续大规模量产提供可靠基础。

需要指出的是，这并非英特尔首次涉足DRAM领域。上世纪七八十年代，公司曾是全球DRAM市场的重要力量，后因面临激烈市场竞争，于1985年退出该业务。如今，人工智能技术的快速发展为内存架构演进带来全新契机。依托在先进封装与三维芯片堆叠等领域长期的技术积淀，英特尔正以ZAM为支点，谋求重返内存技术核心舞台。

然而，能否真正打开局面，关键在于能否获得英伟达等头部AI芯片厂商的认可与采用。只有进入主流AI硬件生态，这项技术才能真正打破既有市场格局，实现从实验室到产业化的跨越。