Intel首秀ZAM原型：功耗降低50% 首秀全球瞩目

2月1日传出的消息，让我们首次目睹了Intel ZAM内存的公开亮相！

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不久前我们曾报道，英特尔已与软银旗下公司Saimemory达成深度合作，共同开发名为ZAM（Z-angle memory，Z角内存）的下一代内存技术。其单芯片容量最高可达512GB，能耗相比当前主流的HBM内存降低40%至50%，旨在打破HBM在这一领域的垄断局面。

原本以为这项技术距离我们还很遥远，没想到英特尔如此迅速地展示了其原型产品。据日本媒体PCWatch报道，在Intel Connection Japan 2026活动上，英特尔首次公开展示了ZAM（Z角内存）技术原型。

英特尔院士兼政府技术首席技术官Joshua Fryman以及英特尔日本首席执行官Makoto Onho出席了此次活动。

本次活动重点探讨了ZAM将如何助力现有解决方案缓解性能和散热方面的瓶颈。这也是该技术首次走出学术论文与新闻报道，以原型的形式面向市场。

ZAM技术的核心突破在于架构设计，它摒弃了传统内存的垂直布线模式，采用交错互联拓扑结构来实现芯片堆叠内部的对角线“Z字形”布线，配合铜-铜混合键合技术实现芯片层间的高效融合。

同时结合无电容设计与英特尔成熟的EMIB互联技术，既实现了与AI芯片的高速连接，又大幅降低了芯片热阻，其散热性能成为其核心优势之一。

相较于当前AI领域主流的HBM内存，ZAM的产品优势十分突出：单芯片最高容量可达512GB，功耗较HBM降低40%-50%，能精准解决AI数据中心能耗高的行业痛点。而Z形互联设计还进一步简化了制造工艺流程，为后续规模化量产奠定了基础。

活动公布的信息显示，在ZAM项目中，英特尔将负责初始投资与战略决策，双方清晰的分工让这项技术的落地路径更为明确。

事实上，英特尔早年曾是DRAM市场的重要参与者，1985年因受日本厂商竞争冲击而退出了该赛道。

如今全球AI大模型训练、超大规模数据中心运算推动算力需求指数级攀升，DRAM供应链瓶颈凸显，HBM内存的垄断格局也带来了成本与产能问题，这为英特尔的回归提供了重要机遇。依托在先进封装、芯片堆叠领域深厚的技术积累，英特尔试图以ZAM技术抢占AI内存市场的先机。

不过，ZAM技术要实现市场突围仍面临关键考验，其最终能否打破现有市场格局，核心在于能否获得NVIDIA等AI行业领军企业的采纳，以及后续能否顺利完成量产落地与生态建设。