英特尔ZAM内存原型功耗暴降50%，单芯片实现512GB

IT之家2月11日消息，科技媒体Wccftech于2月10日发布报道称，在近日举办的Intel Connection Japan 2026活动上，英特尔首次公开展示了其“Z-Angle Memory”（简称ZAM）内存的原型产品。

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该项目由英特尔与日本存储公司Saimemory共同推进。Saimemory成立于2024年12月，并于2025年6月全面投入运营，主营业务涵盖存储器件及相关产品的研发、制造与销售。

英特尔政府首席技术官Joshua Fryman与英特尔日本首席执行官大野诚（Makoto Onho）共同出席了此次发布活动。

据IT之家引述的博文介绍，ZAM技术的核心在于其独特的“Z-Angle”架构。与传统HBM内存采用的垂直硅穿孔（TSV）连接方式不同，ZAM采用了交错互连拓扑结构，在芯片堆叠内部实现了对角线布线。英特尔指出，这种架构设计能从物理层面有效解决现有内存方案面临的散热瓶颈，并能大幅优化计算性能。

图源：Wccftech

根据现场公布的营销资料，ZAM在性能指标上展现出对标甚至超越HBM的潜力。初步讨论数据显示，得益于Z-Angle互连技术，新内存的功耗相比现有方案降低了40%至50%。更引人注目的是，其单芯片存储容量最高可达512GB，这一规格远超当前主流内存产品。