节前存储价格分化：DDR4小回调，NAND大涨，国产份额加速提升

临近春节假期，国内存储市场近期出现价格波动，部分内存产品报价有所回落，市场情绪趋于理性。

深圳华强北现货市场反馈显示，主流DDR4内存价格较2025年高点回调约一成至两成，但整体仍处于历史较高水平。有商户表示，DDR4内存自去年底以来累计涨幅达五至六倍，当前小幅回调仅体现为每条十几元至几十元的下调；部分型号售价仍在一千八百元左右，单位价格已高于黄金。

相较而言，NAND闪存原厂提价力度更为明显，部分产品报价计划翻倍，eMMC等嵌入式存储价格亦显著上扬。多家整机厂商证实，受存储元器件成本持续攀升影响，中低端笔记本电脑零售价已上调百分之五至百分之十；部分游戏本拟于春节后启动新一轮调价，最高涨幅预计达百分之三十三，单台涨价上限接近一千元。

据行业统计，2025年全球DRAM与NAND Flash市场规模首次突破两千亿美元，达二千二百一十五点九一亿美元，同比增长百分之三十二点七，折合人民币约一万五千三百亿元。

目前国际主要存储原厂库存普遍偏低，三星、SK海力士、美光等企业正推动定价机制优化，拟将原有季度议价模式逐步转向按实际供货时市场价格结算的动态定价方式。产能方面，各厂商预计2026年第一季度DRAM芯片出货量增幅不足百分之五，NAND芯片增幅维持在百分之五至百分之十区间；新建产线项目多数要到2027年下半年方能投产。

国内存储制造能力正加速提升。长鑫科技与长江存储均持续推进扩产计划。数据显示，长鑫科技全球DRAM市场份额已升至百分之三点九七，位居国内首位、全球第四；长江存储NAND产品在全球出货量占比于2025年第一季度首次突破百分之十，至第三季度进一步提升至百分之十三。

伴随国产存储产能释放，上游半导体设备企业业绩逐步显现。中微公司披露，受益于先进逻辑及存储芯片制造中高端刻蚀设备交付量显著增加，2025年预计实现归母净利润二十点八亿元至二十一点八亿元，同比增长约百分之二十八点七四至百分之三十四点九三；测试设备厂商长川科技亦预计2025年盈利实现翻倍增长。

此外，国际主要消费电子品牌已开始将中国大陆存储芯片纳入供应链评估体系，惠普、戴尔、华硕、宏碁等厂商陆续启动对国产内存产品的采购适配工作。