ASML EUV光源突破：2030年芯片产能或提升50%

阿斯麦（ASML Holding）的研究人员近日宣布，他们成功找到了一种能够显著提升关键芯片制造设备中光源功率的方法，目标是在2030年将芯片产量提升高达50%。

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作为全球唯一一家实现极紫外光刻（EUV）设备商业化生产的公司，ASML的技术至关重要。EUV设备是芯片制造商生产先进计算芯片的核心工具，例如台积电与英特尔等企业都高度依赖这套系统。

ASML负责EUV光源的首席技术专家Michael Purvis这样评价此次突破：

“这并非一次概念性的展示，也不是短暂的可行性技术演示。这是一套能够在客户实际使用条件下，持续输出1000瓦功率的成熟系统。”

此次突破的核心挑战在于：如何以合适的功率与特性生成EUV光，从而实现高产量芯片制造。研究人员已将EUV光源功率从目前的600瓦大幅提升至1000瓦。这项提升的最大优势在于，更高的功率意味着单位时间内能生产更多芯片，从而有效降低每颗芯片的制造成本。

芯片的制造过程可以类比为摄影：EUV光照射在涂有特殊化学材料（光刻胶）的硅晶圆上。更强力的EUV光源意味着晶圆所需的曝光时间更短。

ASML负责NXE系列EUV设备的执行副总裁Teun van Gogh在接受采访时表示：“我们希望能确保客户能够以更低的成本继续使用EUV技术。到2030年，每台设备每小时可处理约330片硅晶圆，而目前仅为220片。根据芯片尺寸不同，每片晶圆可容纳数十至数千颗芯片。”

ASML之所以能够实现功率的飞跃，源于其在原本已极为复杂的技术路径上进行了更深入的创新。

为了产生波长为13.5纳米的光，ASML设备会在腔体内喷射熔融锡液滴流，然后用强大的二氧化碳激光将其加热成等离子体。在这种超高温物质状态下，锡液滴的温度甚至高于太阳，并释放出EUV光。随后，这些光由德国卡尔蔡司公司（Carl Zeiss AG）提供的精密光学设备收集，并导入机器进行芯片刻写。

此次公布的关键突破包括：将每秒喷射的锡液滴数量提升至约10万个（大约翻倍），并采用两次较小的激光脉冲来塑形形成等离子体，而目前设备仅使用一次脉冲。

科罗拉多州立大学教授Jorge J. Rocca对此评论道。“这极具挑战性，因为它要求你掌握众多复杂技术。能够实现1000瓦的功率，确实令人惊叹。”他的实验室专注于激光技术研究，并为ASML培养了多名科学家。

Purvis表示，ASML认为实现1000瓦所采用的技术将为未来进一步提升功率打开空间。“我们已经看到一条相当清晰的路径，可以达到1500瓦。而且从根本上讲，没有理由不能达到2000瓦。”