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发改委:存储芯片处涨价周期,年内持续传导下游

发改委:存储芯片处涨价周期,年内持续传导下游

热心网友 时间:2026-02-28
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2月28日消息,今日,国家发改委价格监测中心发文称,2025年9月至今,受需求“爆发式”增长、产能“断崖式”紧缺等因素影响,全球存储器市场缺口扩大,存储芯片价格持续上涨,近1个月多以来,涨幅呈现扩大

2月28日最新消息,国家发改委价格监测中心今日发布报告指出,自2025年9月以来,受需求"爆发式"增长、产能"断崖式"短缺等多重因素影响,全球存储器市场供需缺口持续扩大,存储芯片价格保持上涨态势。近一个多月来,价格涨幅呈现扩大趋势,建议密切关注存储芯片对下游产品价格的传导效应。

一、近期存储芯片价格呈现快速上涨态势

市场调研数据显示,截至今年1月,存储芯片两大主要产品DRAM和NAND闪存价格均创下2016年有数据记录以来的历史新高。

以主流型号为例,1月份DDR4 8Gb 1Gx8规格的DRAM合约均价达到11.5美元,环比上涨24%,较2025年9月累计涨幅达83%;128Gb 16Gx8 MLC规格的NAND闪存合约均价为9.5美元,环比大幅上涨65%,较2025年9月涨幅接近1.5倍。

从上涨动因分析,存储芯片价格攀升主要受到需求端"爆发式"增长、供给端"断崖式"短缺以及下游"恐慌性"囤货等因素共同推动。

首先是AI算力增长带动高端存储需求激增。集邦咨询预计,2026年全球AI服务器出货量同比增长将超过28%,加上单台AI服务器的内存配置达到传统服务器的8倍左右,AI服务器、数据中心对高带宽、大容量存储芯片的需求呈现"爆发式"增长态势。

同时,2025年四季度以来,智能手机等消费电子产品新款集中上市,对消费级存储需求形成有力支撑。

二是存储巨头生产策略叠加产能周期刚性约束,加剧市场供应紧张。三星、SK海力士、美光三大厂商垄断全球90%以上的DRAM产能,头部厂商采取"减产保价""弃低追高"策略,将80%以上的先进产能转向高毛利率的高带宽内存,减少成熟制程的产能比重,导致消费级存储芯片供应持续紧缺。

此外,存储芯片扩产周期较长,晶圆厂建设需要1.5-2年时间,新增产能在短期内难以快速释放。

三是硅片、六氟化硫、金属等原材料价格上涨从成本端提供一定支撑。2025年以来,12英寸硅片、六氟化硫、银、铜等芯片制造原材料价格出现不同幅度上涨。

值得注意的是,随着市场看涨情绪升温,消费电子、AI服务器厂商、智能汽车等下游领域的恐慌性囤货行为,也对近期价格走高起到推波助澜的作用。

二、存储芯片价格上涨将向下游传导

当前,存储芯片正处于价格上涨周期。从年内趋势来看,在AI服务器算力需求持续增长的带动下,全球存储芯片市场供不应求的局面仍将延续,存储芯片价格将保持上行态势。

存储芯片价格上涨正逐步传导至消费电子终端产品。随着AI应用渗透率提升,消费者对高端化、智能化的消费电子产品偏好增强,消费升级趋势明显,对内存性能的要求不断提高。

厂商通过减配方式缓解成本上涨压力的空间有限,上调终端价格将成为普遍趋势。目前联想、戴尔、惠普等主要电脑厂商均已发布调价函,涨幅普遍在500-1500元之间,小米、vivo等国产新发售机型相同存储配置版本价格较上一代上涨300-500元。

受存储芯片价格上涨及对下游的传导影响,PPI方面,计算机、通信及其他电子设备制造业分项价格有望止跌企稳,对PPI的拖累作用将有所减弱。

CPI方面,叠加提振消费政策效果持续显现,通讯工具分项价格将继续回升。

国家发改委:存储芯片处于上涨周期 年内延续上涨 将向下游传导

来源:https://m.mydrivers.com/newsview/1106165.html

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