印度成功流片2nm芯片：迈向全球半导体中心的关键一步
据报道，印度当前正全力推动产业升级，在智能手机、电动汽车及半导体等关键领域积极布局，试图赶超中国的领先地位。
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此前，印度曾提出打造全球半导体制造中心的宏伟计划，如今已取得初步成果——其自主研发的2纳米芯片成功流片。
近日，高通公司宣布已完成2纳米半导体设计的流片工作，标志着印度在先进芯片设计领域迈出了关键一步。
高通指出，这一进展不仅展现了其全球工程实力，也凸显了公司在班加罗尔、钦奈和海得拉巴等多个研发中心之间的高效协作。
这些研发基地已成为高通在美国以外规模最大、技术最先进的工程团队之一。
“我们在印度的研发中心在系统设计的各个层面——从架构到实现，从软件平台到用例优化——均作出了重要贡献。”高通工程高级副总裁萨希雷迪说道。
对此，印度铁道部、信息与广播部及电子与信息技术部部长表示，在日益完善的设计生态系统及行业持续参与的支持下，印度半导体战略正稳步推进。对先进工程与研发能力的投入，对构建本土长期半导体产能至关重要。
尽管印度因上述消息而备受鼓舞，但行业内部人士都清楚，他们在芯片领域的真实实力仍有差距，要真正成为芯片强国，还有很长的路要走。
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