黄仁勋澄清英伟达LPU新品会否挤压HBM市场

随着韩国股市在三天内上演“过山车”般的剧烈波动，投资者的神经也随之紧绷起来。一些市场人士指出，剧烈震荡的股价正不断敲打着股民们敏感的神经。

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这一系列波动的背后，源自上周五美股收盘后的一则传闻。有消息称，英伟达计划在当地时间3月15日举行的GTC大会上，发布一款专为推理计算打造的全新平台。据悉，这个新平台将采用芯片初创公司Groq设计的专用芯片。

随着中东局势在上周末再度紧张，韩国股市在周一休市后，周二、周三连续遭遇重挫，三星电子与SK海力士的股价累计下跌幅度均接近20%。除了地缘冲突的影响外，市场分析中似乎也出现了另一种声音，认为内存巨头的暴跌或许与“Groq抢占了HBM的市场前景”有关。

（三星电子与SK海力士在周四均出现强劲反弹）

这样的担忧真的有必要吗？

要知道，英伟达去年底曾斥资约200亿美元，获得了芯片初创公司Groq的核心技术团队及非独占专利授权。这也是英伟达首次在核心算力芯片领域，大规模引入外部的先进芯片架构。

引发部分三星与海力士股东焦虑的关键，正是Groq自主研发的LPU（语言处理单元）芯片。该芯片的核心特点在于片上集成了数百兆容量的SRAM。由于SRAM的访问速度比HBM快约二十倍，通过减少甚至完全绕过外部存储访问，该芯片能够实现极低延迟的语言模型推理输出。

随着英伟达年度发布会日益临近，“Groq是否会冲击HBM市场”的话题再度被市场热议：如果推理芯片的技术路线从依赖HBM堆料转向片上SRAM，存储巨头的生意岂不是要遭受冲击？

作为这一猜测的佐证，OpenAI在上周五宣布获得英伟达等机构约300亿美元融资时，曾专门强调将从该公司采购大量“专用推理算力”，暗示了这款新型处理器的存在。

英伟达首席执行官黄仁勋也表示，将在GTC上发布一款“世界前所未见”的全新芯片。市场普遍猜测，如果这款芯片并非下一代Rubin架构的旗舰GPU产品，那么极有可能是以SRAM为核心的LPU推理芯片。

那么，这两种芯片真的构成替代关系吗？

对于市场上关于SRAM将“取代”HBM的说法，韩国科技分析师Jukan在周四开盘前援引独立分析机构KIS的研究报告指出，此类观点反映对存储器原理的理解尚不充分。

分析报告称，相比DRAM，SRAM单个体元面积更大、存储密度较低。在相同容量下，使用SRAM所需的芯片面积可能是DRAM的5到10倍，这在实际生产中极大限制了其在芯片上的规模扩展。也正因如此，SRAM历来被用于对延迟要求极高的高速缓存或片上缓冲应用中，而非作为存储海量数据的主存储器。

因此，与其说它会替代GPU，这类芯片更适合作为特定推理任务的补充选择，例如对延迟要求极为苛刻的物理AI边缘应用（机器人和自动驾驶），而不是直接取代HBM或DRAM。

事实上，英伟达CEO黄仁勋在今年1月的CES分析师问答环节中也详细解释过这一点。

黄仁勋表示，理论上当然可以把所有东西都放进SRAM里，那样就不再需要HBM内存了。但其核心限制在于：能够放进这些SRAM里的模型规模，也同时被限制在大约100倍以内。而实际的工作负载形态一直在变化，有时会遇到MoE模型，还有多模态模型等，因此英伟达需要提供更具普适性的综合解决方案。

黄仁勋也指出，对于某些特定工作负载而言，SRAM的运行速度可能“快得惊人”，因此在预填充阶段和解码阶段能看到一些显著优势。