NVIDIA苹果百万年薪抢人！韩国HBM与NAND人才争夺战

2月25日消息，随着内存技术在AI算力领域的战略地位日益凸显，美国科技巨头正悄然启动针对韩国存储人才的争夺战。

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报道显示，这些科技巨头正瞄准三星电子和SK海力士的核心工程师，开展定向招聘活动，意图削弱这两家公司在内存市场长期以来的领先优势。

本月初，英伟达发布了面向HBM开发工程师的职位招聘，其基础年薪高达258,750美元（约合人民币178万元）；苹果公司则在上个月发布了NAND产品工程师职位，年薪范围更是达到了305,600美元以上（约合人民币210万元）。

报道进一步指出，中国台湾的联发科也已加入竞争，积极寻求HBM工程师，提供的薪酬约为260,000美元。与此同时，高通公司同样开始在韩国招募3D+DRAM研发人员。

谷歌与博通作为TPU合作伙伴，同步在硅谷扩充HBM人才梯队，分别招聘性能评估工程师和高频接口设计验证专家。

特斯拉首席执行官马斯克亲自转发了其韩国分公司招聘AI半导体设计师的启事。美光科技同样动作激进，自去年下半年起便开始从三星、SK海力士发掘工程师。有传言称，该公司为核心HBM专家开出了两倍现有薪酬外加30亿韩元签约金的优厚条件。

面对严峻的人才流失压力，三星和SK海力士不得不采取更积极的激励措施应对。SK海力士于2026年初发放了创纪录的业绩奖金，金额高达月薪的2964%；三星半导体部门也发放了相当于年度总薪酬47%的奖金，这同样是AI内存热潮以来的最高水平。