三星研发HBM4E芯片提速，基础裸片或采用2nm工艺
3月13日，韩媒Business Korea报道称，三星电子计划将2纳米制程工艺引入下一代HBM芯片，旨在提升技术竞争力的同时，将其与内存制造及半导体代工能力紧密结合。
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业内人士透露，三星正在为第七代HBM的基础裸片评估2纳米制程工艺。
从结构来看，HBM由核心裸片与基础裸片组成。前者是垂直堆叠的DRAM内存，后者则承担控制器的作用。在HBM3E之前，基础裸片仅负责较为简单的控制功能；但从HBM4时代开始，它需要直接处理部分计算任务，逻辑电路功能得到加强，重要性显著提升。
为了提升HBM4的性能，三星电子已委托三星晶圆代工部门生产4纳米工艺的基础裸片，并结合了最先进的1c DRAM技术，成功领先于采用台积电12纳米工艺的SK海力士。
半导体行业预计，从HBM4E开始，面向客户定制的HBM芯片将正式出现。三星计划在年中发布标准版HBM4E，下半年则根据客户安排，为定制产品进行首次试产。
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