三星担忧AI拉动业绩下的存储供需：或于2028年逆转？

人工智能热潮正在推动三星电子半导体业务在今年创下历史最佳业绩，然而这家全球最大的存储芯片制造商已开始为下一轮行业低谷未雨绸缪。

据知情人士透露，三星电子DS（半导体）事业部的管理层正在与业务支持团队共同研判，全球存储半导体市场可能于2028年前后出现逆转的潜在风险。

其核心逻辑在于：随着各大厂商持续扩产，到2028年前后，三星、SK海力士与美光的产能将集体跃升至新的量级。届时，供需平衡将面临重新洗牌的风险。

这项内部评估折射出存储行业的深层矛盾——人工智能基础设施投资热潮在拉动需求的同时，也让需求预测的不确定性大幅上升。一旦过度投资遭遇需求放缓，将可能以巨额亏损的形式反噬企业自身，三星对此有着切身的教训。

AI热潮驱动HBM需求，今年扩产方向毫无争议

当前，存储市场正处于供不应求的景气周期。英伟达、AMD、博通等大型科技公司对高带宽内存（HBM）的需求极为旺盛，预计这一态势将延续至明年。在三星电子与SK海力士的DRAM总销售额中，HBM的占比均已超过一半。

两家公司正将越来越多的产能分配至HBM产品，这导致了面向智能手机、PC及服务器的普通DRAM出现短缺。在此背景下，今年扩大DRAM与HBM供给的必要性，在业内并无异议。

三星正在华城基地推进下一代DRAM制程转换，并扩建新产线。业界预计，三星今年将继续推进10纳米第五代（1b）DRAM制程转换，同时以平泽工厂为核心，通过新产线扩建为10纳米第六代（1c）DRAM确保产能。SK海力士则在利川、清州、龙仁等主要生产基地持续推进积极的投资计划，新建的M15X工厂正在建设下一代DRAM产线。

2028年产能集中释放，供需逆转风险浮现

市场担忧的核心在于，全球主要存储厂商的扩产计划将在2028年前后同步落地。美光正在新加坡及美国扩建DRAM产线，并自去年起大规模下单采购设备以提升HBM供给能力。考虑到建设产线通常需要约两年时间，从2028年起，三星、SK海力士与美光的产能预计将整体跃升至新的水平。

韩国政府主导的龙仁半导体集群开发项目也是一个重要变量。该集群将成为韩国半导体产业的核心生产基地，基础设施建设与工厂建造正分阶段推进。业界认为，龙仁集群第一期投资完成后，将启动追加建厂与量产，并于2028年前后通过第二期投资进一步扩大产能。

NAND闪存领域的供给压力则更为突出。与由三星、SK海力士、美光三强主导的DRAM市场不同，NAND市场的参与者更多，铠侠及中国长江存储均在持续扩充技术实力与产能。若当前扩产节奏持续，NAND供给超过需求的时间点可能会早于DRAM。近年来NAND价格竞争已趋于激烈，三星与SK海力士均难以避免亏损压力。

需求预测失灵，三星力求避免重蹈过度投资覆辙

此轮景气周期的突然性，令业界对需求预测能力产生了深刻反思。一位熟悉三星内部情况的人士表示，“就在去年夏天，三星和SK海力士都无法预料到如今这种繁荣局面，这充分说明半导体市场状况和投资计划的预测已变得多么困难。”该人士补充称，“正因如此，三星业务支持团队正在对投资决策进行审慎研判，力求与充分的市场验证和预测相匹配。”

分析人士指出，AI热潮过后，存储需求呈现出非规律性，供给周期也在缩短，这使得准确判断生产规模与所需投资变得愈发困难。三星面临的挑战在于，如何在持续推进下一代HBM产线及先进制程转换的大规模投资的同时，为难以预测的需求放缓制定应急预案——在享受AI红利的当下，为下一轮寒冬预留足够的缓冲空间。