“HBM之父”预言：未来AI发展依赖高带宽内存技术

有着“HBM（高带宽内存）之父”之称的韩国教授认为，AI（人工智能）计算主导权正在从GPU转向内存。

近日，据韩媒报道，被称为“HBM之父”的韩国科学技术院电气与电子工程学院教授金正浩表示，AI芯片格局即将发生根本性变化，当前由英伟达主导、以GPU为核心的体系，最终转变为受内存主导的架构。

随着AI从生成式模型迈向Agentic AI（智能体）时代，内存正成为关键的发展制约因素。金正浩指出，这一转变可被概括为“上下文工程（context engineering）”的兴起，AI需要同时处理海量文档、视频及多模态数据。

金正浩表示，为支撑这一趋势，内存带宽与容量需实现最高达1000倍的提升，方能保障系统的速度与准确性。当输入规模扩大100至1000倍时，内存需求可能呈指数级增长，最高甚至达到百万倍。

在此背景下，金正浩指出，当前通过堆叠DRAM（动态随机存储器）以实现超高带宽的HBM产品，或难以满足智能体时代的需求。作为下一代路径，他重点看好HBF（High Bandwidth Flash，高带宽闪存）技术。作为一种新型存储技术，HBF方案通过堆叠NAND闪存来替代DRAM，构建类似“巨型书架”的长期存储体系，从而在容量上实现数量级跃升。

金正浩进一步表示，AI产业的权力格局或将因此发生转移，由GPU向内存倾斜。尽管现阶段计算架构仍以GPU和CPU为核心，但未来的系统将围绕超大容量内存（如HBM与HBF）构建，处理器则更像是嵌入其中的组件。

这一构想在产业界已有初步体现。今年2月，SK海力士在提交至电气与电子工程师学会（IEEE）的论文中提出了“H3架构”，混合配置HBM高带宽内存与HBF高带宽闪存，论文表示，HBF与HBM 相比，带宽相当、容量更大、访问延迟更长、写入耐久更差、功耗更高，因此H3将HBF作为HBM的“二级扩展”，HBF存储只读数据、HBM则负责其余数据。

金正浩认为，HBF工程样品预计将在2027年前后问世，谷歌、英伟达或AMD等厂商最快可能于2028年开始采用该技术。此外，围绕HBF的竞赛或将重演HBM时代的格局，三星电子与SK海力士有望再度正面交锋。