SK海力士与英特尔合作探索EMIB技术为HBM封装提供新方案

《科创板日报》5月11日讯 据ZDNet最新报道，半导体产业格局出现新动向：全球存储巨头SK海力士正与英特尔展开合作，共同探索2.5D/3D先进封装技术的未来发展路径。

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具体合作内容显示，SK海力士正在评估采用英特尔自主研发的“嵌入式多芯片互连桥（EMIB）”先进封装方案。目前，双方已进入技术测试阶段，重点在于将SK海力士的高带宽内存（HBM）与系统半导体芯片，与英特尔提供的EMIB嵌入式基板进行集成验证。为推进后续量产进程，该公司正同步开展关键材料与组件的供应链评估工作。

在先进封装技术领域，台积电的CoWoS方案长期占据市场主导地位。SK海力士本身亦是台积电的重要合作伙伴，双方在HBM堆叠与2.5D封装领域建有联合研发项目。然而，随着全球人工智能产业需求爆发式增长，台积电CoWoS产能持续紧张，这为英特尔EMIB等替代性封装方案创造了市场机遇。

英特尔EMIB技术的核心优势何在？其关键在于具备更低的功耗表现、更具竞争力的封装成本结构，以及对大型异构集成系统更优的可扩展性。国金证券研报将其形象地比喻为“AI大算力时代的横向高速公路”。该技术通过嵌入硅桥实现芯粒（Chiplet）间的高带宽、低延迟互连，有效规避了传统硅中介层方案带来的高成本制约。

从技术成熟度进展来看，英特尔EMIB封装良率提升迅速。知名分析师郭明錤透露，英特尔EMIB先进封装的后段制程良率已突破90%。需要说明的是，当前英特尔以FCBGA（倒装芯片球栅格阵列）的良率作为EMIB的参考基准。而行业主流FCBGA生产良率普遍达到98%以上，这意味着EMIB技术在量产一致性方面仍有优化空间。

正是基于这些技术潜力，多家科技巨头开始将EMIB视为CoWoS方案的重要替代选择。市场消息显示，英特尔正就其先进封装服务与至少两家大型客户进行深度谈判，其中谷歌与Meta被业界视为未来设计的潜在采用方。

英特尔首席财务官戴夫·津斯纳的公开表态印证了这一趋势。他表示，英特尔晶圆代工业务“即将完成”多项先进封装合作协议，每项合作年收入规模均有望达到数十亿美元量级。与此同时，技术迭代持续加速——集成硅通孔的EMIB-T桥接架构技术，预计将于年内启动量产。

行业分析普遍指出，在后摩尔时代背景下，先进封装产能短缺正加速技术方案多元化发展。全球AI算力需求呈指数级增长，尽管台积电CoWoS产能持续扩张，仍难以完全满足市场需求。

上海证券分析进一步强调，AI应用催生的超大型封装需求，正推动部分专用集成电路（ASIC）设计从CoWoS转向EMIB技术方案。除CoWoS产能长期被英伟达GPU优先占据外，封装尺寸的物理限制以及“美国本土制造”的供应链需求，也促使谷歌、Meta等北美云服务提供商积极与英特尔接洽，寻求EMIB封装解决方案。

可以预见，一场围绕先进封装技术路线的市场竞争，正在全球半导体产业中悄然升温。